Проведен обзор результатов теоретических и экспериментальных исследо-ваний по межзонному поглощению света полупроводниковыми сфериче-скими нанокристаллами. Показано, что учет поляризационного взаимодей-ствия электрона и дырки с поверхностью нанокристалла вызывает сдвиг порога поглощения в нанокристалле в коротковолновую сторону. Установ-лено, что край поглощения нанокристаллов формируется двумя сравнимы-ми по интенсивности переходами с разных уровней размерного квантования дырки на нижний уровень размерного квантования электрона.Виконано огляд результатів теоретичних та експериментальних дослі-джень з міжзонного вбирання світла напівпровідниковими сферичними нанокристалами. Показано, що врахування поляризаційної взаємодії електрона і дірки з поверхнею нанокристала спричиняє зсув порогу вби-рання в нанокристалі в короткохвильовий бік. Встановлено, що край вби-рання нанокристалів формується двома порівнянними за інтенсивністю переходами з ріжних рівнів розмірного квантування дірки на нижній рі-вень розмірного квантування електрона.The results of theoretical and experimental investigations of interband absorption of light in semiconductor spherical nanocrystals are analyzed. As shown, the absorption threshold in a nanocrystal is shifted to shorter wavelengths if the polarization-related interaction of electrons and holes with the nanocrystal surface is taken into account. As ascertained, the absorption edge for nanocrystals is formed by two transitions comparable in intensity. These transitions occur from different levels of size-related quantization for a hole to the lower level of size-related quantization for an electron.Ключевые слова: межзонное поглощение, квазинульмерные нанострук- Fiz. Met. 2007, т. 8, сс. 157-170 Îòòèñêè äîñòóïíû íåïîñðåäñòâåííî îò èçäàòåëÿ Ôîòîêîïèðîâàíèå ðàçðåøåíî òîëüêî â ñîîòâåòñòâèè ñ ëèöåíçèåé  2007 ÈÌÔ (Èíñòèòóò ìåòàëëîôèçèêè èì. Ã. Â. Êóðäþìîâà ÍÀÍ Óêðàèíû) Íàïå÷àòàíî â Óêðàèíå.

Приведен обзор результатов теоретических и экспериментальных ис-следований объемных локальных состояний квазичастиц (электрона и дырки), возникающих в объеме полупроводниковых сферических кван-товых точек, в условиях сильного поляризационного взаимодействия носителей заряда с поверхностью квантовой точки. Показано, что в спектре объемных локальных состояний имеется область низколежа-щих состояний, обладающих спектром осцилляторного типа. Установ-лено, что объемные локальные состояния в квантовых точках являются достаточно стабильными (со временами жизни порядка 10 1 с).Наведено огляд результатів теоретичних та експериментальних дослі-джень об'ємних льокальних станів квазичастинок (електрона й дірки), які виникли в об'ємі напівпровідникових сферичних квантових точок, в умовах сильного поляризаційного взаємочину носіїв заряду з поверх-нею квантової точки. Показано, що у спектрі об'ємних льокальних станів є область низьколежачих станів, які характеризуються спектром осциляторного типу. Встановлено, що об'ємні льокальні стани у кван-тових точках є достатньо стабільними (із часом життя, що має порядок 10 1 с).The results of theoretical and experimental investigations of bulk local states of quasi-particles (an electron and a hole) appearing in the bulk of semiconductor spherical quantum dots under the condition of strong polarization interaction between the charge carriers and the quantum-dot surface are reviewed. As shown, there are low-lying oscillator-type states in the spectrum of bulk local states. As revealed, the bulk local states in quantum dots are stable (with a life cycle of  10 1 s).