Spin Resonance of Pd and Pt in Silicon

Woodbury, H. H.; Ludwig, Günther

doi:10.1103/physrev.126.466

Cited by 126 publications

(36 citation statements)

References 9 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…Isolated TM impurities can sit interstitially, such as Fe [199,200], or substitutionally like Au [201,202], Ag [192,203], Pt [204,205,206] and Ni [207,208]. There does not appear to be a simple theory which explains why one element prefers to sit at an interstitial site while another is a substitutional defect.…”

Section: Substitutional Transition-metal Defectsmentioning

confidence: 99%

See 1 more Smart Citation

The Interaction of Hydrogen with Deep Level Defects in Silicon

Jones

Coomer²,

Goss³

et al. 1999

SSP

View full text Add to dashboard Cite

Section: Substitutional Transition-metal Defectsmentioning

confidence: 99%

“…and g zz = 2.07 for Pt − s [204]. The vanishing of g xx and g yy in the case of Au then accounts for the absence of an EPR spectrum.…”

Section: -Levelsmentioning

confidence: 99%

The Interaction of Hydrogen with Deep Level Defects in Silicon

Jones

Coomer²,

Goss³

et al. 1999

SSP

View full text Add to dashboard Cite

“…ЭПР палладия и платины в кремнии В работе 7Э впервые сообщается о наблюдении ЭПР ионов Pd и Pt в кремнии. Этому вопросу посвящено также и более подробное исследо-вание 80 . Переходные металлы Pd (незаполненная 4й-оболочка) и Pt (незапол-ненная 5<2-оболочка) в кремнии являются акцепторными примесями.…”

Section: Geunclassified

Electron paramagnetic resonance in silicon and germanium

Bogomolova¹,

Lazukin²,

Chepeleva³

1964

Usp. Fiz. Nauk

View full text Add to dashboard Cite

Проблема природы твердого состояния -одна из важнейших проб-лем современной физики. К разрешению ее физики идут различными путями и разнообразными методами.В последние полтора десятилетия для изучения твердого тела широко применяются методы радиоспектроскопии, в частности, электрон-ный парамагнитный резонанс (ЭПР) и двойной электронно-ядерный резо-нанс. С 1953 г. методом ЭПР начали исследоваться кристаллические полупроводники. Методы ЭПР и двойного резонанса позволили изучить ряд интересных свойств полупроводниковых кристаллов и физических процессов в них. Так, например, ЭПР мелких доноров и акцепторов в кремнии и германии дал возможность ответить на ряд вопросов, связан-ных с положением примесного атома в кристаллической решетке и со структурой энергетических зон в этих веществах. На экспериментах по ЭПР мелких донорных и акцепторных состояний базируется теория Кона и Латтинджера, позволяющая построить волновые функции этих состоя-ний. ЭПР мелких доноров в Si помогает разрешить одну из интересней-ших проблем твердого тела -проблему взаимодействия волн кристалли-ческой решетки с магнитными моментами электронов и ядер. Комбинация экспериментов по ЭПР мелких доноров в Si с экспериментами по фотопро-водимости дала возможность ответить на ряд вопросов, связанных с кине-тикой переходов между примесными атомами. С помощью метода ЭПР и двойного электронно-ядерного резонанса исследовалось взаимодей-ствие примесей с вакансиями в решетке, структура и процесс создания радиационных дефектов в кристаллах, образующихся при облучении крем-ния электронами больших энергий и быстрыми нейтронами. Интерес-ные результаты дало наблюдение ЭПР при деформации кристалла или при наложении электрического поля.В данном обзоре обсуждаются работы по ЭПР примесей, образующих мелкие и глубокие уровни в кремнии и германии, а также ЭПР радиа-ционных дефектов, возникающих в результате облучения кристаллов. Но следует отметить, что метод ЭПР уже используется для исследования бинарных и стеклообразных полупроводников. Он безусловно будет играть роль в исследовании природы полупроводимости некристалличе-ских полупроводников. Изучение ЭПР в полупроводниковых кристаллах представляет интерес для квантовой радиоэлектроники.В настоящей статье дается обзор работ, опубликованных до 1963 г. Не представляется возможным обсудить здесь технику и возможности ЭПР вообще. Желающие могут обратиться к монографиям С. А. Альт-4 УФН, т. LXXXIII. вып. 3

show abstract

“…22͒ and Pt s Ϫ . 29 Following these arguments the hypothetical ͑Cu s -Cu s ) ϩ or ͑Cu s -Cu s ) Ϫ pair would have an overall symmetry lower than tetragonal, possibly monoclinic-I. Since the symmetry of the Si-NL58 pair is tetragonal, the ͑Cu s -Cu s ) ϩ or ͑Cu s -Cu s ) Ϫ pairs are not good candidates for the microscopic model of this defect.…”

Section: A Si-nl58 Centermentioning

confidence: 99%

Copper-related defects in silicon: Electron-paramagnetic-resonance identification

et al. 1997

View full text Add to dashboard Cite

In this paper the observation of two electron-paramagnetic-resonance spectra, both present in p-type silicon samples after doping with silver, is reported. The two centers show a symmetry lower than cubic and have an effective electron spin Sϭ1/2. In view of the detected hyperfine interaction with nuclear spins Iϭ3/2, the spectra are shown to be related to a contaminant introduced into the samples during the diffusion process. By analysis of the features of the spectrum and the defect formation, a spectrum of the tetragonal symmetry, labeled Si-NL58, is identified as a copper-copper pair in a negatively charged state. The second spectrum, labeled Si-NL59, is attributed to a complex containing one copper atom. ͓S0163-1829͑97͒01832-8͔

show abstract

Spin Resonance of Pd and Pt in Silicon

Cited by 126 publications

References 9 publications

The Interaction of Hydrogen with Deep Level Defects in Silicon

The Interaction of Hydrogen with Deep Level Defects in Silicon

Electron paramagnetic resonance in silicon and germanium

Copper-related defects in silicon: Electron-paramagnetic-resonance identification

Contact Info

Product

Resources

About