Simultaneous observation of Rutherford scattering and ( α,X) reactions in AlF₃and MgF₂layers and correlation with their electrical properties

Abstract

An analysis, by nuclear methods, of AF3 and MgF2 thin films has been made using 2.5 MeV He+; backscattered alpha -particles and K X-rays emitted in ( alpha ,X) reactions are observed. The impurity concentrations are strongly dependent on the conditions of preparation and can reach high values. Electrical properties of such thin films appear to be nearly independent of the impurity concentrations and are discussed in the framework of the Mott-Davis model.

Novel external field source by localization of electrons for improvement of solar cells

“…The charge anomaly strongly suggests that the occupied F vacancies can be classified in two different subbands. While the lower one fixes electrons into deep potential wells the Coulomb force of the upper one is weak enough to allow for limited delocalization within AlF 3 (hopping conduction, [7]) at strong bias fields as long as this subband is not fully occupied yet. That phenomenon occurs within the first couple of weeks from preparation.…”

Observation comparative du déplacement ionique dans les couches minces de PbF2 β et de CaF2 par diffusion Rutherford

“…En effet, la perte d'énergie de la particule incidente dans l'épaisseur de la cible avant et après diffusion entraîne un déplacement ou un élargissement des pics selon l'épaisseur de cible traversée, ce qui permet dans la plupart des cas de préciser la position des éléments dans la couche et même d'établir un profil de concentration en fonction de la profondeur. Ces méthodes constituent désormais des moyens classiques de caractérisation des couches minces [9,5].…”

“…La stoechiométrie de la couche à une épaisseur comprise entre e et (e + de) s'établit à partir de la relation [5,9] : NI et N2 représentent la concentration en atomes d'espèces 1 et 2, Zl et Z2 étant les numéros atomiques de ces atomes. ni et n2 correspondent aux nombres de particules détectées, après diffusion par les noyaux des atomes 1 et 2 respectivement, à une profondeur comprise entre e et (e + de) repérée à partir de leur perte d'énergie dans le matériau.…”

Étude des transitions électroniques au voisinage du seuil interbande dans des couches minces de MgF2 et Alf3 en fonction des conditions de préparation

“…Discussion. -Nous avons montré qu'un contrôle rigoureux des paramètres de fabrication qui fixent l'état de cristallisation et la composition des couches (réalisées par évaporation thermique sous vide) peut être obtenu à partir d'une étude de diffraction X des dépôts et d'analyses nucléaires (rétrodiffusion de particules a, réactions (a-X)) [11].…”