*) Расшифровка аббревиатуры TMTSF-тетраметил-тетраселен-фульвален; X -ани-разного типа. 382 л. п. ГОРЬКОВ молекулы упаковываются в стопки (цепочки), так что перекрытие электрон-ных волновых функций вдоль стопок велико, а между молекулами разных стопок на порядки величин меньше. Экспериментальные трудности, связан-ные с получением совершенных кристаллов, чрезвычайно велики и, конеч-но, не были бы так скоро преодолены, если бы не упомянутый стимул полу-чения новых сверхпроводящих материалов. Особенности самого сверхпрово-дящего состояния в последних будут мало обсуждаться в настоящем обзоре (см. параллельный обзор Буздина и Булаевского). Наша цель -показать, что исследуемые соединения представляют собой класс материалов с чрезвы-чайно богатым набором новых физических явлений, зачастую не имеющих известных аналогов, и в этом смысле представляют интереснейший объект для физики твердого тела.Открытию соединений (TMTSF) 2 X в 1979 г. предшествовало многолет-нее исследование свойств ряда других органических соединений, среди которых наиболее известны соединения на основе TGNQ (тетрацианхиноди-метана). В настоящее время существует обширная журнальная литература, обзоры, труды многих конференций, посвященных изучению специально одномерных (или квазиодномерных, Q1D) материалов. Мы будем часто отсы-лать читателя к обзору Джерома и Шульца 4 , одному из самых свежих и полных обзоров по органическим проводникам и сверхпроводникам, содержащему как историю вопроса, так и многочисленные фактические данные. Другой важный источник новой информации -Труды Между-народной конференции по синтетическим металлам (декабрь 1982 г.) 5 , где собран богатый фактический материал, хотя неспециалисту вероятно трудно восстановить общую картину на основе помещенных там кратких публи-каций.В настоящем обзоре перечислены результаты исследований последних двух лет, которые, так сказать, являются привилегией квантовой физики твердого тела и физики низких температур, и отражена эволюция в их понимании.
СВОДКА НЕКОТОРЫХ ТЕОРЕТИЧЕСКИХ РЕЗУЛЬТАТОВДля удобства сначала кратко суммируем основные теоретические пред-ставления. В одномерном приближении, считая, что электроны движутся только вдоль одной стопки молекул, их спектр, s (к), вблизи уровня Ферми есть -{-v(k -к$) и -v (к + к?) около правого (+&F) и левого (-/с Р ) участ-ков поверхности Ферми (см. рис. 1, а; сплошная и штриховая линии отражают наличие спина -электроны с данным импульсом могут иметь направление спина «вверх» и «вниз»). Вырождение по энергиям е (к) = е (-к) влечет за собой два возможных механизма неустойчивости, если электроны взаимо-действуют между собой. На рис. 1, б изображен механизм структурной неустойчивости: электрон справа (импульс к) взаимодействует с дыркой слева (импульс к -2/c F , спин тот же). При кулоновском знаке взаимодействия это спаривание в ID-случае всегда было бы выгодно и вело бы к возникнове-нию модуляции плотности заряда -волне зарядовой плотности (ВЗП): p2fe F (x) <*> cos (фаза ср произвольна, волна может скользить вдоль цепочки, если ее период я/к? несоизмерим...