Resonance reflection of light by ordered silicon nanopillar arrays with the vertical p-n junction

Оптические свойства кремниевых нанопилларов со встроенным вертикальным p-n-переходом

“…Ранее в работе [18] нами были сформированы подобные структуры Si НП с похожими геометрическими параметрами, на стенках этих Si НП также образовывался дополнительный полимерный слой при травлении, при этом перед оптическими измерениями этот слой не снимали и диаметр измерялся с учетом присутствия слоя. Реальное значение диаметра Si НП без слоя в нашей работе не указывалось [18]. В настоящей работе необходимо было уточнить, точно ли слой не влияет на отражение оптического излучения.…”

“…Данная работа является продолжением наших исследований. В работе [18] мы продемонстрировали, что такие Si НП cо встроенным вертикальным p−n-переходом имеют селективный фотоотклик. Через выбор определенных параметров Si НП и их массива можно управлять спектральными особенностями фотоответа структур.…”

“…4. Это отмечалось и в нашей работе[18], но природа данных минимумов не была объяснена. Результаты численного моделирования показывают, что появление дополнительных минимумов в сигнале отражения, положение которых не зависит от диаметра Si НП, может быть связано с резонансным рассеянием периодической структуры на длине волны λ, равной ее периоду ( ), или с интерференцией световых волн, отраженных от границ НП и от свободной поверхности (между НП).На рис.…”