Raman Spectroscopy of Porous Silicon

Current Transfer in a Semiconductor Structure with a Porous Silicon Film formed by Metal-Stimulated Etching

“…The width of the spectral line under consideration, determined at a level of 0.5 of the maximum intensity, for the por-Si film is by 0.6 cm −1 greater, than for the substrate. The shift of the first-order RSS spectral line towards lower frequencies, accompanied by its expansion to the low-frequency region, is associated with the manifestation of the effect of spatial phonon confinement in silicon crystallites of the film por-Si [10][11][12]. In our case, the values of the shift of the first-order RSS spectral line to the low-frequency region and the broadening are small, therefore, the effect of the spatial limitation of phonons in the por-Si film does not manifest.…”

“…The growth of the por-Si film leads to the expansion of the silicon crystal lattice in the direction perpendicular to the sample surface [11,12]. The lattice deformation is mainly due to the misorientation of the planes perpendicular to the wafer surface [12].…”

Механизмы Токопереноса В Полупроводниковой Структуре С Пленкой Пористого Кремния, Сформированной Металл-Стимулированным Травлением

“…Ширина рассматриваемой спектральной линии, определенная на уровне 0.5 от максимальной интенсивности, для пленки por-Si на 0.6 см −1 больше, чем для подложки. Смещение спектральной линии КРС первого порядка в сторону нижних частот, сопровождающееся ее расширением в низкочастотную область, связывают с проявлением эффекта пространственного ограничения фононов в кремниевых кристаллитах пленки por-Si [10][11][12]. В нашем случае величины сдвига спектральной линии первого порядка КРС в низкочастотную область и уширения небольшие, следовательно, эффект пространственного ограничения фононов в пленке por-Si не проявляется.…”

“…1), является возникновение растягивающих механических напряжений в результате формирования пленки por-Si исследуемой полупроводниковой структуры [13]. Рост пленки por-Si приводит к расширению кристаллической решетки кремния в направлении, перпендикулярном поверхности образца [11,12]. Деформация решетки в основном обусловлена разориентацией плоскостей, перпендикулярных поверхности пластины [12].…”

“…Деформация решетки в основном обусловлена разориентацией плоскостей, перпендикулярных поверхности пластины [12]. В работе [11] возникновение деформаций объясняется высоким отношением площади поверхности кремниевых кристаллитов пленки por-Si к их объему.…”