ubersieht: Zur Leitf~ihigkeitsmessung an plf~ttchenf6rmigen Halbleiterproben bei tiefen Temperaturen wurde ein Wechselstromverfahren entwickelt, bei dem die Stromeinspeisung kapazitiv i~ber zylindrische Koppelelektroden (2 mm 2~ ) erfolgt. Zur Leitfiihigkeitsbestimmung dienen selbstabgleichende MeBoszillatoren, deren Frequenz sich mngekehrt proportional zum Probenwiderstand einstellt. Nit MeBfrequenzen yon 2 Hz bis 20o MHz k6nnen je nach Probenabmessungen spezifische Widerstiinde yon 5 f/cm bis lo 10 ~em erfaBt werden. Leitf~.higkeitsmessungen in Abh~tngigkeit yon der Temperatur, yore Ort nnd yon der elektrischen und magnetischen Feldst~irke wurden an Proben yon Ge, Si und GaAs durchgefiihrt und mit Gleichstromkontrollmessungen aa kontaktierten Proben verglichen, wobei sich zufriedenstelIende 13bereinstimmung ergab.Contents : For low temperature resistivity measurements of semiconductor wafers an ae-method has been developed that uses cylindrical electrodes of 2 mm diameter as capacitive contacts. The semiconductor resistivity is determined from the frequency of oscillator circuits, which adjust their frequency inversely proportional to the specimen resistance. The frequency range from 2 Hz to 200 MHz corresponds to a resistivity range from 5 f~cm to lo 1~ ~cm depending on the size of the specimen. Low temperature measurements 0I the resistivity, the 10cal resistivity distribution and the magnetoresistance and investigations of hot electron effects have been carried out between 2,3 K and 300 I~2 with several semiconductor crystals of Ge, Si and GaAs and have been compared with common dc-measurements on samples with ohmic contacts. The results are in satisfactory agreement.