Provision of environmental safety through the use of porous semiconductors for solar energy sector

Correlation between Technological Factors of Synthesis of por-GaP and Its Acquired Properties

“…Пристрої, створені на основі таких напівпровідників можуть працювати набагато ефективніше [4]. Прикладом цього можуть слугувати сонячні елементи, створені на основі наноструктурованих напівпровідників [5]. Крім того, розмірне квантування, що виникає під час переходу до наномасштабів, уможливлює зсунути піки фотолюмінесценції у короткохвильову частину спектру [6].…”

“…Розподіл пор за діяметром. 5 КОРЕЛЯЦІЯ ЧИННИКІВ СИНТЕЗИ por-GAP ТÀ ЙОÃО ВЛÀСТИВОСТЕЙ 665 групи А 3 В 5 з орієнтацією поверхні (100) характерне формування пор орієнтованих за струмом.…”

Research into effect of electrochemical etching conditions on the morphology of porous gallium arsenide

“…Semiconductors, fabricated at the nanoscale, demonstrate a drastic change in optical and electron properties [5]. These changes are due, above all, to quantum-dimensional effects, associated with the quantization of charge carriers' energy, the motion of which is restricted, in one, two or three directions [6,7]. Properties of the obtained nanostructures depend in turn on the parameters of the starting crystal and the methods of synthesis [8].…”

Analysis of the ways to provide ecological safety for the products of nanotechnologies throughout their life cycle

“…According to official data of the StatNano website, in 2016, the Office for patents and trademarks of the United States granted 8484 patents in the field of nanoindustry [2]. Nanomaterials are widely used as basic material for photovoltaic converters [3,4], lasers and LEDs [5,6], buffer layers for making heterostructures [7], etc.…”