Perspectives de forte puissance à l'état solide en ondes millimétriques

Abstract

Le formidable effort fait actuellement dans les laboratoires sur les composants de type tripôle pose la question du choix d'un composant pour la génération de puissance en ondes millimétriques, actuellement dominée par les dipôles à résistance négative. Dans cet article, nous essayons de répondre à cette question en considérant les composants à effet de champ (MESFET et TEGFET) bipolaire à hétérojonction (HBT), à transfert électronique (diode GUNN) et à ionisation par choc (diodes IMPATT). Nous montrons que dans le bas de la bande millimétrique les performances des composants tripôles en amplificateur de puissance tendent de plus en plus à être comparables à celles obtenues pour les composants dipôles en régime d'oscillation (typiquement 1 W à 30 GHz). Par contre pour des fréquences de l'ordre et supérieures à 100 GHz les composants dipôles se révèlent les plus puissants

Tunnel résonnant et effets d'électrons chauds dans les structures à double barrière : synthèse

“…Par ailleurs on note qu'aux deux températures, la diminution de courant dans la plage d'existence de la résistance négative se fait par paliers au nombre de 2 à 77 K. La prise en compte des niveaux d'énergie discrets du puits créé en amont de la première barrière en polarisation devrait permettre de décrire ces effets théoriquement [35]. [38,39].…”

Applications des lasers picosecondes à l'optoélectronique

“…La manipulation de signaux hyperfréquences est l'objet de nombreux progrès, d'abord par l'utilisation des semi-conducteurs à réponse rapide, diodes et transistors [114,115] et grâce au développement des techniques de commande optique [116]. Les perspectives d'utilisation sont ainsi multipliées, en allant de la miniaturisation des accès à des systèmes radars permettant la mise en oeuvre d'antennes adaptatives [117] jusqu'à la simplification des moyens de communications hyperfréquences [118].…”