Performance limits of planar and multi-layer integrated inductors

Fully-integrated fully-differential silicon RF CMOS distributed amplifier based on multi-Tanh linearization principle

“…One drawback with this approach is the lower self-resonant frequency resulting from the large feedthrough capacitance between the layers [70].…”

Indutores integrados passivos para aplicações em radio frequencia

“…Realizar a análise completa da qualidade dos indutores envolve a fabricação e a caracterização das estruturas, entretanto, o fluxo de projeto completo é oneroso e demanda tempo. Considerando, por exemplo, o processo tecnológico de fabricação disponível para este trabalho AMS CMOS 0,35 µm e BiCMOS 0,35 µm, apenas o tempo de entrega dos circuitos é de no mínimo três meses.Atualmente os projetistas fazem uso de ferramentas computacionais, que auxiliam as etapas de projeto, otimização e concepção de novas estruturas, essas ferramentas são basicamente de dois tipos, baseadas em modelos físicos, utilizando expressões fechadas para derivar e extrair os elementos e os efeitos dos indutores passivos, como as expressões apresentadas no capítulo anterior, um exemplo desse tipo de ferramenta é o SISP (Spiral Inductor Simulation Program) desenvolvido em C++ para a extração rápida dos elementos de um modelo de circuito equivalente de duas portas (Y Koutsoyannopoulos et al, 1997),. entre os principais elementos estão a resistência e a indutância em série, as capacitâncias formadas entre os condutores em paralelo e pelas espiras e o substrato.…”