Peculiarities of photosensitivity of n(GaAs)–p(GaAs)1–x–y (ZnSe) x (Ge2) y structures with quantum dots

Saidov, A. S.; Zainabidinov, S. Z.; Kalanov, M. U.; Boboev, A. Y.; Kutlimurotov, B. R.

doi:10.3103/s0003701x15030111

Cited by 5 publications

(1 citation statement)

References 4 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…Среди этих материалов соединения на базе GaAs представляют особый интерес, поскольку значения подвижностей электронов и дырок в них значительно больше [5], и на их основе могут быть разработаны быстродействующие оптоэлектронные изделия. Кроме того, твердые растворы замещения (GaAs) 1-xу (Ge 2 ) x (ZnSe) y дают возможность расширить спектральный диапазон функционирования структур на их основе до 400 нм [6,7]. Однако, использование приборных структур, изготовленных на основе соединения А 3 В 5 , ограничено, с одной стороны, экономической нецелесообразностью их крупномасштабного использования, с другой стороны, недостаточной изученностью фотоэлектрических свойств таких материалов и гетеропереходов на их основе.…”

Section: Introductionunclassified

Фотоэлектрические свойства гетероструктур n-GaAs-p-(GaAs)1-x-y(Ge2)x(ZnSe)y

Зайнабидинов¹,

Бобоев²,

Акбаров³

2022

УФЖ

View full text Add to dashboard Cite

Определено, что спектральная зависимость фототока охватывает широкий интервал энергии падающих квантов от 1.07 эВ до 3 эВ. Показано, что с увеличением температуры начала кристаллизации максимумы спектральной зависимости фотоЭДС смещаются в более коротковолновую область длин волн и начало кристаллизации слоя твердогораствора (GaAs)1–x–у(Ge2)x(ZnSe)y увеличивается, время жизни фотоносителей также растет от 10−7 с при температуре начала кристаллизации Тнк=650°С до 5×10−5 с при Тнк=730°С.

show abstract

Section: Introductionunclassified