Optical cryostat with sample rotating unit for polarization-sensitive terahertz and infrared spectroscopy

Влияние дефектов на поглощение терагерцового излучения в монокристалле CdSiP-=SUB=-2-=/SUB=-

“…Еще одним фактором могло бы быть несовпадение кристаллографических и главных оптических осей кристалла с направлением поляризации волны ТГц излучения. В этом случае следовало ожидать появление биений на фоне интерференционной картины, зависящей от угла между оптической осью кристалла и направлением поляризации излучения [20]. Однако по данным рентгеноструктурного анализа разориентация оси а кристалла с нормалью к плоскости образца не превышает 3 • , и, следовательно, связанные с этим эффекты должны быть меньше чувствительности ТГц метода.…”

“…Такие поляризаторы обеспечивают степень поляризации не хуже 99.9%, а отсутствие подложки исключает дополнительные интерференцию и потери излучения. Спектры отражения в частотном диапазоне 70−4000 cm −1 измерены на ИК фурье-спектрометре BrukerIFS-113v в температурном интервале 77−300 K. При низкотемпературных измерениях был использован криостат оптического типа [20], с целью снижения потерь излучения он был оборудован тонкими полиэтиленовыми окнами. Их применение стало возможным благодаря использованию системы клапанов, соединяющих откачные оптические камеры спектрометров и объем криостата.…”

Температурная эволюция диэлектрического отклика alpha-лактозы моногидрата в терагерцовом диапазоне частот

“…Hungrana KFT" (Венгрия). Спектры пропускания и фазового сдвига в ТГц диапазоне измерены на лабораторном спектрометре с временным разрешением (TDS) [5,6,22].…”

“…Далее с применением фурье-преобразования временных зависимостей фототока были рассчитаны спектры пропускания и фазового сдвига в образце. Измерения при низких температурах (от 300 до 10 K) выполнены в оптическом криостате, описание которого приведено в [6]. Измерения спектров пропускания в диапазоне температур от 300 до 475 K проведены в термостате.…”

“…К преимуществам данного метода следует отнести низкую ионизирующую способность ТГц излучения и незначительное рассеяние ТГц излучения микрокристаллическими образцами [3,4]. Аппаратура ТГц импульсной спектроскопии не требует применения высокого напряжения или сильных магнитных полей и может быть выполнена в компактном и доступном варианте [5,6]. Хотя частотный диапазон, перекрываемый ТГц импульсной спектроскопией, меньше чем для традиционных методов ИК спектроскопии и КРС, этот метод является самодостаточным или может применяться в качестве дополнительного аналитического инструмента.…”