On the Theory of Free Carrier Electro‐Magneto‐Optical Phenomena

For the calculation of the Faraday effect of hot electrons in many-valley semiconductors the ellipsoidal form of the constant energy surfaces can be taken into account, if scattering between valleys on axes with different orientations t o the applied fields is weak in compnrison with other collision processes. I n the case of small losses the rotation of the polarization plane and the ellipticity of radiation are discussed with respect to the elcrkric dr fivltl :is functions of mean carrier energies and electron redistribution among the valleys, consirlrring interaction with acoustical and optical phonons as well as ionized impurities.Bei der Berechnung des Faraday-Effektes heiDer Elektronen in Vieltalhalbleitern ii: 1111 (1 iellipsoidale Form der Flachen konstanter Energie beriicksichtigt werden, falls die Stwir II n~ zwischen unterschiedlich zu den LuDeren Feldern orientierten Talern gering im Verylcicil mit den ubrigen StoDprozessen ist. I m Fall schwacher Absorption werden Rotation char Polarisationsebene und Elliptizitat der Strahlung in bezug auf den EinfluB des elektrischr ,i Gleichfeldes durch die Abhangigkeit von den mittleren Energien und Dichten dcr Elekt ronen in den einzelnen Talern diskutiert. Dabei werden Wechselwirkungen der Lndvngstrager sowohl mit akustischen und optischen Phononen als auch mit ionisierten Stiirstellen beriicksichtigt,.

Section: Introductionmentioning

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On the Faraday Effect of Hot Electrons in Many‐Valley Semiconductors

Asche¹

1970

On the Scattering Processes in Semiconductors

Kołodziejczak

1967

Self Cite

The scattering processes in semiconductors are analysed for the purpose of the solution of a non-linear Boltzmann equation. The collision term in the Boltzmann equation is calculated for acoustic modes, and for polar and non-polar optical modes. The differential collision operators are obtained for the isotropic part of the distribution function. The calculations are carried out assuming possible nonparabolicity of the energy band.Die Streuprozesse in Halbleitern werden durch die Losung einer nichtlinearen Boltzmanngleichung analysiert. Der StoRterm in der Boltzmanngleichung wird fur akustische, und fur polare und nicht-polare optischc Moden berechnet. Die differentiellen StoRoperatoren werden fur den isotropcn Anteil der Verteilungsfunktion erhalten. Die Rechnnngen werden unter der Annahme moglicher Nichtparabolizitaten der Energiebiindcr ausgefiihrt.

On the Theory of Galvanomagnetic Phenomena in Strong Electric Fields

Kołodziejczak

1967

Some galvanomagnetic effects are calculated for electric fields which are sufficiently high to give quadrac tideviations from Ohm's law. The calculations are carried out awiiming nonparabolicity of the energy band. Acoustic mode scattcring, and polar and nonpolar optical mode scattering are included in the analysis. Kanc's model of the nonparabolic band is used in the final result. In the case of a quadratic deviation from Ohm's law the isotropic function S is given [3] s = fo -!-s,, E, E, t