On the Faraday Effect of Hot Electrons in Many‐Valley Semiconductors

Abstract

For the calculation of the Faraday effect of hot electrons in many-valley semiconductors the ellipsoidal form of the constant energy surfaces can be taken into account, if scattering between valleys on axes with different orientations t o the applied fields is weak in compnrison with other collision processes. I n the case of small losses the rotation of the polarization plane and the ellipticity of radiation are discussed with respect to the elcrkric dr fivltl :is functions of mean carrier energies and electron redistribution among the valleys, consirlrring interaction with acoustical and optical phonons as well as ionized impurities.Bei der Berechnung des Faraday-Effektes heiDer Elektronen in Vieltalhalbleitern ii: 1111 (1 iellipsoidale Form der Flachen konstanter Energie beriicksichtigt werden, falls die Stwir II n~ zwischen unterschiedlich zu den LuDeren Feldern orientierten Talern gering im Verylcicil mit den ubrigen StoDprozessen ist. I m Fall schwacher Absorption werden Rotation char Polarisationsebene und Elliptizitat der Strahlung in bezug auf den EinfluB des elektrischr ,i Gleichfeldes durch die Abhangigkeit von den mittleren Energien und Dichten dcr Elekt ronen in den einzelnen Talern diskutiert. Dabei werden Wechselwirkungen der Lndvngstrager sowohl mit akustischen und optischen Phononen als auch mit ionisierten Stiirstellen beriicksichtigt,.

Hot Electron Faraday Rotation and Birefringence in Semiconductors with Non‐Parabolic Energy Bands

“…After substituting (13), (20)) (21) into the general expressions (23) to (25) we obtain for the given case s i n 2 y (26) 6 sin 6 cos x -sin2 -sin2 x sin 4 Ek 2 6 .…”