New approach to the manufacturing of power microwave bipolar transistors at an irradiation of ohmic contacts: a computer simulation

Controlled Processes of the Parameters Transformation by Ion Beams in Silicon Bipolar Microwave Transistors

“…Профили распределения фосфора в транзисторной структуре прибора КТ916А, изготовленного по предложенной технологии, для различных доз облучения контактов ионами фосфора для толщин диоксида кремния 0,01 и 0,04 мкм свидетельствуют (рисунок 11 а, б), что поверхностная и максимальная концентрация фосфора растет с повышением дозы бомбардирующих ионов. Наличие участка с постоянной концентрацией фосфора в приповерхностной области кремния при малой глубине диффузии обеспечивает получение эмиттерных переходов с высоким коэффициентом инжекции [20]. При этом прирост концентрации фосфора в приповерхностной области кремния к эмиттерам транзисторной структуры прибора КТ916А больше в случае изготовления приборов по предложенной технологии, нежели по стандартной.…”