NDC instability in n-InAs in a transverse magnetic field

Abstract

Measurements of the j‐E characteristics of n‐InAs were performed in magnetic fields up to 22 kG at 300 K. In transverse magnetic fields above about 14 kG pronounced kinks in the characteristics were observed within the first few nanoseconds after application of the voltage pulse. In analogy to n‐InSb this behaviour is interpreted as an NDC instability. The existence of an NDC is supported by Monte Carlo calculations.

Research of the Drift Mobility of Electrons in Arsenide India

“…Отримано відповідність розрахованої температурної залежності дрейфової рухливості електронів (Т) ряду експериментальних значень, виміряних при 77 K [13] (рис. 3, б) і 300K [14]. Розбіжність з розрахованим значенням [15] при Т = 300 К пояснюється відмінністю вихідних параметрів моделювання.…”

“…6. Розраховані поле-швидкісні характеристики: а -для арсеніду індію (методом Монте-Карло [14] та релаксаційних рівнянь); б -для арсеніду галію [16] а b c Рис. 7.…”

Взаємодія Ізотропної Наночастинки З Дрейфуючими Електронами У Квантовій Ямі

“…e −kh+ikr та τ j = ω j t, де для x-ї частотної гiлки j = x. Видiляючи дiйсну частину збурення концентрацiї (24), отримуємо…”

“…Ми розглянемо квантову яму на основi InAs з бар'єрами GaAs. Як вiдомо з[24], в матерiалi InAs ефективна маса електронiв мала, m ≈ 0, 023 • m 0 , а рухливiсть велика навiть при кiмнатнiй температурi µ ≈ 8 • 10 4 см 2 /(B • c). Це забезпечує реалiзацiю дуже високих дрейфових швидкостей електронiв, аж до v 0 ≈ 6 • 10 7 cм/с[24,25].…”

“…Як вiдомо з[24], в матерiалi InAs ефективна маса електронiв мала, m ≈ 0, 023 • m 0 , а рухливiсть велика навiть при кiмнатнiй температурi µ ≈ 8 • 10 4 см 2 /(B • c). Це забезпечує реалiзацiю дуже високих дрейфових швидкостей електронiв, аж до v 0 ≈ 6 • 10 7 cм/с[24,25]. У квантових ямах на основi InGaAs матерiалiв спостерiгаються дрейфовi швидкостi того ж порядку.…”