Multilayered ZnO Films of Improved Quality Deposited by Magnetron Sputtering

Abstract

Multilayered ZnO films were deposited by rf magnetron sputtering on silicon and sapphire substrates. The aim of this work is to improve structural quality of ZnO thin films grown on just listed substrates. Presented X-ray diffraction data testify to remarkable relaxation of compressive stress in twoand three-layered ZnO films in comparison with single-layer one.

Enhancement of the Ultraviolet Luminescence Intensity from Cd-Doped ZnO Films Caused by Exciton Binding

“…The distance from the target to the substrate was fixed at 40 mm. The discharge power was 200 W. In order to obtain perfect films, layer-by-layer deposition method was used [7,8]. The deposition time was 60 min for all samples.…”

The Influence of Oxygen Pressure on ZnO:Al Thin Films Properties Grown by Layer by Layer Growth Method at Magnetron Sputtering

“…Раніше досліджувався вплив на властивості легованих алюмінієм плівок ZnO: (і) технологічних параметрів магнетронного осадження ( температура підкладки [15], тиски кисню [16] та аргону [17], потужність магнетрону [18], ( іі) технологічних прийомів осадження (подвійне легування [19], вибір катодної системи [20], створення багатошарових плівок [21,22], підготовки поверхні [23] тощо) та (ііі) термічного відпалу щойно вирощених плівок [24,25]. Для покращення властивостей плівок ZnO, осаджених на різні типи підкладок, нами був запропонований в високочастотному (ВЧ) МР метод пошарового (постадійного) росту [26,27].…”

“…Площа останніх становила 1,4 % від робочої площі мішені. Пошаровий ріст плівок ZnO:Al запропонованим нами методом [26,27] проводили в 3 етапи, кожний з яких складався зі стадії осадження плівки протягом 2 хвилин та зі стадії технологічної зупинки росту протягом 2 хвилин. Для виявлення впливу методу пошарового росту на властивості легованих алюмінієм плівок ZnO були напилені плівки легованого оксиду традиційним одноетапним безперервним методом в ВЧ МР протягом 6 хвилин.…”

Junction Properties and Applications of ZnO Single Nanowire Based Schottky Diode

“…As the growth of ZnO nanowires by MOCVD is a bottom-up technique, the nature of substrates has a vital role for the dimension and alignment of the nanowires. According to lattice misfit, the most suitable substrate for ZnO growth is ScAlMgO 4 , which is expensive and technologically inconvenient (Ievtushenko et al, 2008). On the other hand, it is difficult to obtain well-aligned ZnO nanowires on silicon substrates, because the formation of an interfacial layer (SiO 2 ) and large lattice misfit (Liou et al, 2005).…”