Micro- and Nanotextured Silicon for Antireflective Coatings of Solar Cells

Abstract

The paper deals with obtaining of textured silicon surfaces by chemical etching. As a result of experiments based on the modification and optimization of obtaining a textured silicon, several methods of chemical texturing of the crystalline silicon surface were developed. It was shown that modified isotropic and anisotropic etching methods are applicable to create a microrelief on the surface of silicon substrate. These methods in addition to their high conversion efficiency can be used for both mono- and multicrystalline silicon which would ensure their industrial use.

Optimization of Porous Silicon Characteristics for Solar Batteries

“…Ефективність кремнієвих СЕ значною мірою залежить від фотогенераційних втрат, зумовлених високим коефіцієнтом відбивання, який для планарного кремнію може сягати 30%. Для зменшення оптичних втрат та збільшення ефективності СЕ застосовують антивідбивні покриття (АВП) [9,10], різні типи текстур поверхні [11][12][13][14], а також фронтальні контактні системи [15,16], які необхідно технологічно правильно нанести на поверхню СЕ. Зазначені обставини стимулюють розроблення оптимізованих технологій отримання СЕ з використанням поруватих шарів, АВП і технологічно правильно нанесеної на поверхню СЕ фронтальної контактної системи, які в перспективі могли б замінити традиційні і були набагато дешевші.…”

Influence of Galvanic Replacement Conditions in Dmso Solutions on the Sizes of Gold Nanoparticles, Fixed on the Surface of Silicon

“…Каталітичне хімічне травлення (MacEtch)один з анізотропних методів отримання кремнієвих наноструктур різної морфології, зокрема, поруватого кремнію [1][2][3][4], нанониток та комплексних наноструктур [5][6][7][8][9][10]. На їх основі створюють сучасні прилади наноелектроніки [11], оптоелектроніки [12][13][14][15], пристрої пере-творення і накопичення енергії [16][17][18][19].…”

Development of efficient solar cells with the use of multifunctional multitextures

“…These models can be divided into several groups: a) models that describe quantum limit of charge carriers in Si crystals of the nanometer size [10]; b) models that describe localized emission caused by the polysilanes of Si or hydrides, which are formed at the surface of PS during its growth as a result of the passivation of torn bonds along the surface [11]; c) models that describe the formation of a specific class of Si-O-H compounds (siloxanes) [12]; d) models that combine the theory of quantum limits of carriers and the existence of regions with local defects along the surface [13] the so-called hybrid models that better describe the optical properties of a porous film.…”