Національний університет «Львівська політехніка» 79013, Львів, вул. С.Бандери, 12, каф. напівпровідникової електроніки ІМПЕДАНС-СПЕКТРОСКОПІЯ НИТКОПОДІБНИХ КРИСТАЛІВ КРЕМНІЮ А.О. Дружинін, І.П. Островський, Ю.М. Ховерко, Р.М. КорецькийАнотація. Досліджено електропровідність та магнетоопір ниткоподібних кристалів Si діаметром 5-40 мкм у температурному інтервалі 4,2÷300 К, частотному діапазоні 1÷110 6 Гц та сильних магнітних полях до 14 Тл методом імпедансної спектроскопії. На основі дослідження імпедансу визначені концентрації домішок у кристалах, які становлять 3,610 18 см -3 і 5,210 18 см -3 і відповідають переходу метал-діелектрик. Показано, що у даних кристалах в інтервалі низьких темпрератур має місце стрибкова провідність по домішковій зоні, яка приводить до виникнення від'ємного магнітоопору.Ключові слова: магнетоопір, ниткоподібні кристали, імпеданс-спектроскопія Abstract. Conductance and magnetoresistance of Si whiskers with diameters 5-40 mkm doped with B impurity were investigated in temperature range 4,2÷300 К, frequency range 1÷110 6 Hz and magnetic fields with intensity up to 14 Т by method of impedance spectroscopy. Impedance investigations showed that doping concentration in the crystals are становлять 3,610 18 сm -3 and 5,210 18 сm -3 which is correspondent to metal dielecric transition. Hopping conductance on impurity states was shown to be realized in the crystals in low temperature region which leads to appearance of negative magnetoresistance .
Анотація. Досліджено вплив технологічного процесу формування антивідбивних шарів на основі поруватого кремнію на стан фронтальної контактної системи кремнієвих сонячних елементів. Для оптимізації даної технології використано електроліт C 2 H 5 OH:H 2 O:HF=1:1:1 при поверхневій густині анодного заряду 0,46 Кл/см 2 . Зменшення часу анодування в такому електроліті до 10 с дозволило отримати шари поруватого кремнію без суттєвого пошкодження контактної струмозбиральної гребінки. Встановлено механізм і ступінь впливу фронтального шару поруватого кремнію на основні параметри досліджуваних зразків сонячних елементів. Для моно-і мультикристалічних сонячних елементів приріст фотоструму перевищував 50%, коефіцієнт корисної дії підвищився на 25% і 22%, відповідно для монокристалічних і мультикристалічних зразків. При цьому виявлено зменшення напруги неробочого ходу на 2,5% для всіх досліджуваних зразків.Ключові слова: поруватий кремній; сонячний елемент; антивідбивне покриття; електрохімічне травлення
This research investigates complex studies of electrical conductivity and magnetoresistance of both strain and non-strain samples of p-type Si whiskers with different degrees of doping with boron and nickel in a wide temperature range from 4.2 to 300 K. It is established that the greatest manifestation of the piezoresistive effect is observed in the vicinity of concentrations which correspond to the metal-insulator transition. Investigation of the magnetoresistance of crystals was carried out in the range of fields with induction up to 14 T. Whiskers of silicon with a doping concentration of boron of 5•1018 cm-3 can be used as a sensitive element for two-functional deformation and magnetic field sensors in difficult operating conditions. Microwires for research were grown by chemical transport reactions with the crystallographic orientation <111> and with the concentration of charge carriers, which corresponds to the vicinity of metal-insulator transition (5•1018 cm-3). The nickel doping was conducted by the low-temperature diffusion from the precipitated film on the surface of the crystal. The uniaxial strain of Si microcrystals was carried out by fixing them on substrates with the different coefficient of thermal. The metallic-type temperature dependence on the resistivity is typical for heavily doped silicon microcrystals (with the bor concentration >5•1018 cm-3) for both deformed and non deformed samples. Significant influence of the deformation on characteristics of microcrystals wasn't found. The maximum magnetoresistance of such samples doesn't exceed 4% in magnetic fields with induction of 14 T at the temperature of liquefied helium. The resistivity of Si crystals with ρ300K = 0.012 Ohm•cm (which corresponds to the dielectric side of MIT) is reduced in several times at the temperature of liquefied helium and under the uniaxial deformation. Decreasing of boron concentration reduces this effect. This is also confirmed by the calculation of the experimental data temperature dependence of gauge factor for these samples in helium temperatures. The gauge factor is K4.2K=165 at the compressive strain ε=–5.29•10-3 RVUs. It is also found that the deformation of these samples has significant impact on characteristics of the magnetoresistance and the value of the magnetoresistance decreased almost in 3 times. The undeformed samples of Si p-type microwire doped with nickel and boron concentration in the vicinity of dielectric side to MIT can be used as the sensing element of magnetic field. The significant magnetic field dependence on magnetoresistance is observed in such crystals which can reach a value of 250% at 14 T.
scite is a Brooklyn-based organization that helps researchers better discover and understand research articles through Smart Citations–citations that display the context of the citation and describe whether the article provides supporting or contrasting evidence. scite is used by students and researchers from around the world and is funded in part by the National Science Foundation and the National Institute on Drug Abuse of the National Institutes of Health.
hi@scite.ai
10624 S. Eastern Ave., Ste. A-614
Henderson, NV 89052, USA
Copyright © 2024 scite LLC. All rights reserved.
Made with 💙 for researchers
Part of the Research Solutions Family.