Méthode DDLTS utilisant une détection synchrone : application au GaAs implanté en oxygène

Abstract

2014 On présente l'analyse détaillée d'une méthode DLTS à double corrélation utilisant une seule détection synchrone sélective et l'on montre l'intérêt qu'elle présente pour la détermination de la signature des centres profonds dans les semiconducteurs et du profil spatial de leur concentration. Cette méthode est appliquée à la caractérisation d'un échantillon de GaAs multi-implanté en oxygène. Une seule remontée en température est nécessaire pour faire la déconvolution des pics du spectre DDLTS relevé. On détermine ainsi la signature et l'énergie d'activation des défauts correspondants.Abstract 2014 A detailed analysis of a double correlation DLTS method using a selective lock-in amplifier is exposed The interest of this method for determining the signature of the defects and their spatial depth profiles is explained An application to oxygen multi-implanted GaAs sample is described. A single temperature scanning is needed to obtain the deconvolution of the three peaks of the observed spectrum. This operation permits to determine the « signature » and the activation energy of the corresponding defects.

Implantation d'oxygène et co-implantation d'oxygène et de silicium, à faible dose, dans GaAs. I. Etude du phénomène de compensation

“…Nous enregistrons d'abord le spectre DDLTS (Double Level Transient Spectroscopy) pour caractériser les défauts profonds [10]. Pour cela nous avons appliqué la méthode DDLTS utilisant une détection synchrone que nous avons mise au point [11]. Les variations de la concentration électronique en fonction de la profondeur ont été déterminées à partir d'un enregistrement de la caractéristique C (V ) à la température du maximum de chacun des pics du signal DDLTS.…”

Implantation d'oxygène et co-implantation d'oxygène et de silicium, à faible dose, dans GaAs. II. Etude des défauts profonds

“…En ce qui concerne la caractérisation des défauts, nous avons utilisé la méthode DDLTS (DLTS à double corrélation) que nous avons mise au point [8]. Cette méthode permet de déterminer d'une manière précise la signature des défauts et leur Tableau 1.…”