Implantation d'oxygène et co-implantation d'oxygène et de silicium, à faible dose, dans GaAs. II. Etude des défauts profonds

Abstract

2014 Nous présentons les résultats de l'étude, par la méthode DDLTS, des centres profonds dans les échantillons de GaAs implantés ou co-implantés, à faible dose, en oxygène ou en silicium et oxygène. Trois groupes de centres profonds ont été mis en évidence dans le domaine de températures 100-300 K. Les énergies d'activation du taux d'émission de ces centres sont comprises entre 0,1 et 0,6 eV. Ces centres profonds sont liés soit aux désordres du réseau cristallin du substrat, soit aux complexes formés par les ions implantés et les imperfections de ce réseau. Abstract. 2014 DDLTS results for oxygen low dose implanted GaAs and silicon-oxygen low dose coimplanted GaAs are presented. Three deep level groups are detected in 100-300 K. Activation energy was measured between 0.1-0.6 eV. These deep levels are in relation with crystallizing disorder of GaAs substrate and with complexes formed by implanted ions and crystallizing imperfections.