Metal–Semiconductor Barriers

Milnes, A. G.; Feucht, D. L.

doi:10.1016/b978-0-12-498050-1.50012-x

Cited by 33 publications

(28 citation statements)

References 0 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…The determined value of the ideality factor n = 1.3 from the slope of linear dependence ln I = f(V) at small forward biases (3kT < V < 0.35 V) is close to unity. The slightly larger ideality factor than unity allows to make a conclusion that the current transport is dominated by the trap assisted thermionic emission [15,16]. The mentioned traps may be formed by the relatively high density of dangling bounds N ss at the heterojunction interface.…”

Section: Results and Their Discussionmentioning

confidence: 98%

Molybdenum oxide thin films in CdTe-based electronic and optoelectronic devices

Solovan

Брус

Mostovyi

et al. 2016

Phys. Status Solidi RRL

View full text Add to dashboard Cite

This paper reports on the both possible applications of molybdenum oxide (MoOx) thin films in combination with hole or electron conducting CdTe. The high quality ohmic contancts and strongly rectifying photodiodes were prepared by the DC magnetron sputtering of MoOx thin films onto freshly cleaved p‐ and n‐type CdTe single crystal substrates. The analysis of DC and AC electrical properties of the MoOx/ p‐CdTe ohmic contact was carried out. The dominating current transport mechanisms through the MoOx/p‐CdTe heterojunction at forward and reverse bias were determined. The unoptimized heterojunction photodiode showed promising rectifying and photoelectrical characteristics for practical application in the photoconductive mode. (© 2016 WILEY‐VCH Verlag GmbH &Co. KGaA, Weinheim)

show abstract

Section: Results and Their Discussionmentioning

confidence: 98%

Molybdenum oxide thin films in CdTe-based electronic and optoelectronic devices

Solovan

Брус

Mostovyi

et al. 2016

Phys. Status Solidi RRL

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

“…Выражение, которое связывает величину обратного тока с приложенным напряжением, в этом случае имеет следующий вид [15][16][17]:…”

Section: рис 2 прямые ветви вольт-амперной характеристики диодовunclassified

Диоды Шоттки графит/p-SiC, полученные методом переноса нарисованной пленки графита на SiC

Солован¹,

Andrushchak²,

Мостовой³

et al. 2018

Физика И Техника Полупроводников

View full text Add to dashboard Cite

Изготовлены диоды Шоттки графит/p-SiC методом переноса нарисованной пленки графита на подложку монокристаллического p-SiC. Измерены вольт-амперные (при различных температурах) и вольт-фарадные характеристики. Исследованы температурные зависимости высоты потенциального барьера и последователь-ного сопротивления диода Шоттки графит/p-SiC. Определены доминирующие механизмы токопереноса через гетеропереход при прямом и обратном смещениях. Установлено, что основными механизмами токопереноса через диод Шоттки графит/p-SiC при прямых смещениях являются многоступенчатый туннельно-рекомбина-ционный механизм и туннелирование, которое описывается формулой Ньюмена (при больших смещениях). При обратных смещениях -эмиссия Френкеля-Пулла и туннельный механизм токопереноса. Показано, что диод Шоттки графит/p-SiC можно использовать в качестве детекторов ультрафиолетового излучения, поскольку он имеет напряжение холостого хода Voc = 1.84 В и ток короткого замыкания Isc = 2.9 мА/см 2 при освещении ртутно-кварцевой лампой ДРЛ 250-3, которая находилась на расстоянии 3 см от образца.

show abstract

“…A number of transport theories have been proposed over the years for heterojunctions including thermoionic emission and tunneling models that have met with varying degrees of success and failure (25). Recently a defect controlled, space-charge-limitedcurrent (SCLI) model has been proposed that predicts varying degrees of rectification (i.e.…”

Section: Photon Energy (Ev)mentioning

confidence: 99%