Conference Record of the Twentieth IEEE Photovoltaic Specialists Conference 1988
DOI: 10.1109/pvsc.1988.105804
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Quantum yield spectra and I-V properties of a GaAs solar cell grown on a Ge substrate

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“…Esta pérdida de FF se debe a la limitación de corriente de la unión de Ge, lo que redunda en una curva I-V con un achatamiento en el punto de máxima potencia ("kinked"). Este efecto es más significativo bajo el espectro AM0, para el cual el peso relativo de IR es menor que en el caso del AM1.5D [Partain88].…”
Section: Difusiones Cruzadas De Ga As Y Ge a Través De La Interfazunclassified
“…Esta pérdida de FF se debe a la limitación de corriente de la unión de Ge, lo que redunda en una curva I-V con un achatamiento en el punto de máxima potencia ("kinked"). Este efecto es más significativo bajo el espectro AM0, para el cual el peso relativo de IR es menor que en el caso del AM1.5D [Partain88].…”
Section: Difusiones Cruzadas De Ga As Y Ge a Través De La Interfazunclassified