Measuring complex for analysis of recombination deep traps in semiconductor solar cells

Litvinov, V. G.; Vishnyakov, N. V.; Gudzev, V. V.; Mishustin, V. G.; Karabanov, Sergey M.; Vikhrov, S. P.; Karabanov, Andrey S.

doi:10.1109/icit.2015.7125239

Cited by 3 publications

(1 citation statement)

References 10 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…Применялся CDLTS-спектрометр, специально адаптированный для изу-чения образцов большой площади, с высокими токами утечки [4], что характерно для ФЭП.…”

Section: вв трегулов вг литвинов ав ермачихинunclassified

Дефекты С Глубокими Уровнями В Полупроводниковой Структуре Фотоэлектрического Преобразователя Солнечной Энергии С Антиотражающей Пленкой Пористого Кремния

Трегулов¹,

Литвинов²,

Ермачихин³

2017

Письма В Журнал Технической Физики

View full text Add to dashboard Cite

Методом токовой релаксационной спектроскопии глубоких уровней проведено исследование дефектов в полупроводниковой структуре фотоэлектрического преобразователя солнечной энергии на основе p-n-перехода с антиотражающей пленкой пористого кремния на фронтальной поверхности. Предложено объяснение влияния толщины пленки пористого кремния, формируемой методом электрохимического травления, на характер трансформации дефектов с глубокими уровнями и показатели эффективности преобразования солнечной энергии. DOI: 10.21883/PJTF.2017.21.45155.16929

show abstract

Section: вв трегулов вг литвинов ав ермачихинunclassified