Дефекты С Глубокими Уровнями В Полупроводниковой Структуре Фотоэлектрического Преобразователя Солнечной Энергии С Антиотражающей Пленкой Пористого Кремния

Abstract

Методом токовой релаксационной спектроскопии глубоких уровней проведено исследование дефектов в полупроводниковой структуре фотоэлектрического преобразователя солнечной энергии на основе p-n-перехода с антиотражающей пленкой пористого кремния на фронтальной поверхности. Предложено объяснение влияния толщины пленки пористого кремния, формируемой методом электрохимического травления, на характер трансформации дефектов с глубокими уровнями и показатели эффективности преобразования солнечной энергии. DOI: 10.21883/PJTF.2017.21.45155.16929

Дефекты С Глубокими Уровнями В Фотоэлектрическом Преобразователе С Антиотражающей Пленкой Пористого Кремния, Сформированной Окрашивающим Химическим Травлением

“…Спектры CDLTS образцов, исследованных в настоящей работе, и образцов с пленкой por-Si, сформированной анодным электрохимическим травлением [4], имеют некоторые сходства. Общими для обоих типов образцов являются ГУ H3 и H5.…”

“…Также на CDLTS-спектрах образцов, в которых травление проводилось при C = 0.025 M, присутствует ГУ H4.1. В образцах с пленкой por-Si, изготовленной с применением анодного электрохимического травления[4], ГУ H4.1 не наблюдался. Травление при C = 0.025 M и t et = 0.5 min не приводит к существенному изменению N t ГУ H4.1 по сравнению с величиной N t для образца № 1.…”

Особенности частотной зависимости вольт-фарадных характеристик полупроводниковой структуры фотоэлектрического преобразователя на основе p-n-перехода с антиотражающей пленкой пористого кремния

“…Использовалась серебряная паста типа ФС-1127 (ОАО " Монокристалл", Россия), применяемая при изготовлении фронтальных контактов кремниевых фотоэлектрических преобразователей солнечного излучения. Образцы № 2−4 аналогичны полупроводниковым структурам, исследованным в работах [3][4][5].…”

“…5). Исследование образцов, аналогичных № 2−4, методом токовой релаксационной спектроскопии глубоких уровней, проведенное в работе [5], показало, что даже при небольших длительностях процесса электрохимического травления (образцы № 2 и № 3) наблюдается трансформация дефектов с глубокими энергетическими уровнями. Особенности ВФХ исследуемой полупроводниковой структуры могут быть объяснены с помощью емкостной эквивалентной схемы замещения, показанной на вставке на рис.…”