Makyoh Topography for the Study of Large-Area Extended Defects in Semiconductors

Geometrical optical model of the image formation in Makyoh (magic-mirror) topography

“…The computer code used for the simulations scans the h(x) values in equidistant steps of x, then the f (x) values and corresponding I (f ) illuminance values, as calculated from the one-dimensional version of equation ( 3) and equation (9), are stored in an array from which the final I (f ) profile is calculated after scanning the whole range of interest of x (the simple 'ray counting' approach [15] which does not take into account the intensity of the individual rays gives the same result if the density of rays is large enough). We assume that the surface reflectivity is unity over the whole X range.…”

“…The one-dimensional case is interesting not only for its analytical transparency, but for the fact that many surface defects possess one-dimensional (line-like or circular) character. The one-dimensional versions of equations ( 2) and (3) are trivial; they can also be obtained on the basis of simple geometry [15]. The I (f ) illuminance at a screen point f will be, as can be obtained from equation (8) or by the differentiation of f (x),…”

Estimation of Topographic Defects Dimensions of Semiconductor Silicon Structures

“…Из рисунка 2 видно, что величина R связана с Δх следующим соотношением: (12) Это отношение можно использовать в случае необходимости для предварительной оценки радиуса кривизны дефектов контролируемой поверхности с точки зрения обеспечения необходимого условия формирования ее изображения. Теперь рассмотрим смещение изображения и восстановление профиля поверхности при наличии множества элементов изображения.…”

“…Контроль поверхностей такого уровня качества достигается теневыми методами, которые позволяют выявлять дефекты размером порядка 1/100 длины волны, что для видимого света составляет величину порядка 7 нм. Среди них широкое распространение получил метод опти-ческой топографии [8][9][10], называемый в зарубежной литературе методом Makyoh топографии [11,12]. С помощью данного метода проведены обширные исследования топографических дефектов поверхности полупроводниковых пластин и их связи с другими видами дефектов [13][14][15][16].…”