Low temperature growth of ITO transparent conductive oxide layers in oxygen-free environment by RF magnetron sputtering

Electrical and Optical Characterization of Sputtered Silicon Dioxide, Indium Tin Oxide, and Silicon Dioxide/Indium Tin Oxide Antireflection Coating on Single-Junction GaAs Solar Cells

“…As with all transparent conducting films, a compromise must be made between conductivity and transparency, due to the fact that any increase the thickness of the film or increase in the concentration of charge carriers to enhance conductivity decreases the transparency of the device. The electrical conductivity and optical transparency of ITO films can be improved when applied via sputtering at high temperatures in a growth environment that includes an appropriate quantity of oxygen [ 10 , 11 , 12 , 13 , 14 ]. The high electron mobility and direct bandgap of gallium arsenide (GaAs) has led to its use in high-speed RF electronics and optoelectronics [ 15 , 16 ].…”

Flexible Sensors—From Materials to Applications

“…ITO combines high transparency in the visible range (>80%) with a low electric resistivity (1 × 10 -4 Ω cm) [64]. In addition, ITO can be deposited by DC [65][66][67][68], and RF sputtering at low temperatures [69], making it compatible with polymeric substrates. For these reasons, ITO has been widely used as a transparent electrode in flexible sensors [20,[70][71][72][73][74][75][76][77].…”

Исследование Влияния Особенностей Конструкции Установки Магнетронного Распыления На Электрические И Оптические Свойства Пленок Оксида Индия-Олова

“…Существуют различные способы формирования наноразмерных слоев ITO, однако наибольшее распространение получил метод магнетронного распыления [3] благодаря его невысокой стоимости, масштабируемости и воспроизводимости. К настоящему времени в литературе имеется большое количество исследований, посвященных разработке технологии формирования и исследованию свойств оксида индия-олова [4][5][6][7]. Известно, что электрические и оптические свойства тонких пленок ITO крайне чувствительны к стехиометрическому составу и структурным свойствам материала.…”

“…Кристаллическая решетка ITO представлена тремя элементами: индий, олово и кислород, и только крайне узкий диапазон их соотношения (90% In 2 O 3 и 10% SnO 2 ) приводит к формированию материала с высокой проводимостью и слабым поглощением в видимой части оптического спектра [5,6]. Известно также, что в процессе магнетронного распыления мишени ITO указанного выше состава часть кислорода из материала мишени не достигает поверхности подложки, из-за чего необходимо дополнительно подавать кислород в рабочую камеру, причем в различных публикациях оптимальное значение парциального давления кислорода отличается [7][8][9][10]. Кроме того, имеются работы, где отмечается, что последующий отжиг оксида при температуре ∼ 200 • С приводит к заметному улучшению его свойств [11,12], хотя в других работах [7,10,13] удавалось вырастить материал со схожими характеристиками и без дополнительного отжига.…”

“…Известно также, что в процессе магнетронного распыления мишени ITO указанного выше состава часть кислорода из материала мишени не достигает поверхности подложки, из-за чего необходимо дополнительно подавать кислород в рабочую камеру, причем в различных публикациях оптимальное значение парциального давления кислорода отличается [7][8][9][10]. Кроме того, имеются работы, где отмечается, что последующий отжиг оксида при температуре ∼ 200 • С приводит к заметному улучшению его свойств [11,12], хотя в других работах [7,10,13] удавалось вырастить материал со схожими характеристиками и без дополнительного отжига. Причина некоторого разброса параметров рабочих процессов, приводящих к формированию ITO с оптимальными характеристиками, может быть связана с использованием установок магнетронного осаждения, различающихся конструкцией ростовой камеры.…”