Local express scanning characterization of crystal parameters of a semiconductor surface and bulk simultaneously by means of second harmonic generation

Возможности характеризации кристаллических параметров структур Cd-=SUB=-x-=/SUB=-Hg-=SUB=-1-x-=/SUB=-Te на подложке из GaAs методом генерации на отражение второй гармоники зондирующего излучения

“…Отметим, что связь асимметрии и изменения уровней минимумов с напряжениями была выявлена нами давно [3,5,6], однако тщательных количественных исследований в этом направлении не проводилось.…”

“…Благодаря зависимости интенсивности второй гармоники от взаимной ориентации поляризации возбуждающего излучения относительно кристаллофизических осей (далее -угловая и азимутальная зависимость), можно в конкретной локальной области образца получить количественную экспресс-информацию о кристаллическом состоянии и совершенстве приповерхностного слоя исследуемой структуры, ее реальной ориентации в этой области с погрешностью не более градуса, и об относительной плотности дефектов в однотипных структурах. Данный метод эффективен для получения информации от сложных полупроводниковых структур для широкой области применений, особенно в микроэлектронике и оптоэлектронике [1][2][3][4][5][6]. Изучение последовательных стадий эпитаксиальной технологии позволяет определить оптимальные условия получения структур.…”

“…Изучение последовательных стадий эпитаксиальной технологии позволяет определить оптимальные условия получения структур. Метод генерации ВГ имеет высокую чувствительность неразрушающего оптического контроля структурных свойств приповерхностных слоев кристаллов класса 43m [1,3,5,6], как к изменениям на границе раздела различных сред, так и к фазово-структурным свойствам приповерхностного слоя.…”