Liquid phase epitaxial growth and characterization of thin In_1−xGa_xAs_yP_1–y layers lattice‐matched to InP

Abstract

of Thin In, -,Ga,As,P, -, Layers Lattice-Matched to InPGrowth studies enabled the deposition of In, ,lGao,29Aso,68P,,32 single quantum well structures with InP or In,,,,Ga,, ,2A~0.26P0.74 confinement layers lattice-matched to (001) InP by liquid phase epitaxy (LPE). Well widths in the order of 50-100 8, have been achieved using a conventional step cooling technique. The physical characterization has demonstrated the capability of the employed method to produce multilayered heterostructures which display confined particle states; quantum mechanically induced blue-shifts of the low temperature PL-emission up to 125 meV were measured. A remarkable reduction of the FWHM values of the shifted P L peaks was attained by optimization of the growth conditions.Ausgehend von Zuchtungsversuchen im Materialsystem (In, Ga)(As, P)/InP wurden gitterangepaRte Ino., ~Ga,,29Aso,6,Po,38 Single-Quantum-Well Strukturen mit InP-beziehungsweise In,,,,Ga,, , 2As,,2, . Po ,,-Barrieren mitteis Flussigphasenepitaxie (LPE) auf (001) InP hergestellt. Die physikalische Charakterisierung der Proben zeigte, daR die beschriebene Technik eingesetzt werden kann, urn Dunnschichtanordnungen zu zuchten, an denen quantenmechanisch induzierte Verschiebungen der Quantengrabenlumineszenz menbar sind. Diese hoherenergetischen Verschiebungen betrugen bei binaren Barrierenmaterial b k zu I25 meV. Durch Optimierung der Zuchtungsbedingungen wurde eine betrichtliche Reduzierung der Halbwertsbreiten der Tieftemperaturphotolumineszenz erreicht.