IR‐device Grade (Hg, Cd)Te Crystals Grown by a Modified Bridgman Method

Abstract

Electrical and photoelectrical properties of IR-devices manufactured on (Hg, Cd)Te-wafers cut from single crystals grown by modified Bridgman method are reported and compared to those of devices made on THM-(Hg, Cd)Te.MIS-structures and photodiodes were used in order to investigate the different materials. The influence of material parameters and device technology respectively is involved in our discussion of device properties. The quality of modified Bridgman-(Hg, Cd)Te was found to be comparable to that of the THM-(Hg, Cd)Te.At T = 8 0 K and FOV = 60" background limited detectivity of photodiodes with a cut-off wavelength of A, . , = 10.7 pm was achieved.Es werden sowohl elektrische als auch photoelektrische Eigenschaften von IR-Bauelementestrukturen, die aus (Hg, Cd)Te Einkristallen gefertigt wurden, dargestellt. Die Einkristalle wurden nach dem modifizierten Bridgman-Verfahren gezuchtet.Es wurden insbesondere MIS-Strukturen und Photodioden untersucht und deren Eigenschaften mit Strukturen aus THM-(Hg, Cd)Te verglichen. Bei der Diskussion der MeBwerte wurden sowohl Einflusse der Materialparameter als auch der Technologie beriicksichtigt. Die Qualitat der Halbleiterscheiben aus modifiziertem Bridgman-(Hg, Cd)Te bzw. yHM-(Hg, Cd)Te ist verleichbar und die daraus gefertigten Photodioden sind bei einer Betriebstemperatur von T = 80 K und FOV = 60" durch die Hintergrundstrahlung begrenzt.

Bulk Growth of Cadmium Mercury Telluride (CMT)

“…A novel modification to the Bridgman process was developed by Bittner et al [26] and Hoschl et al [27] who floated a piece of CdTe on the top of the melt. This had the effect of producing uniform material in both axial and radial directions, but still not as uniform as ACRT material; as concluded in Hoschl et al [27].…”