2019
DOI: 10.1134/s1063782619080074
|View full text |Cite
|
Sign up to set email alerts
|

Influence of Output Optical Losses on the Dynamic Characteristics of 1.55-μm Wafer-Fused Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers

Help me understand this report

Search citation statements

Order By: Relevance

Paper Sections

Select...
3
1
1

Citation Types

0
4
0
2

Year Published

2022
2022
2023
2023

Publication Types

Select...
6

Relationship

0
6

Authors

Journals

citations
Cited by 8 publications
(9 citation statements)
references
References 17 publications
0
4
0
2
Order By: Relevance
“…In our earlier studies. we have tested VCSELs of the 1550 nm spectral range with an active region based on QWs in an In 0.53 Ga 0.27 Al 0.20 As matrix, which corresponds to the matrix of structures type S1, and found maximum modulation frequencies in excess of 11 GHz [12]. Therefore, the substitution of the In 0.53 Ga…”
Section: Resultsmentioning
confidence: 99%
See 1 more Smart Citation
“…In our earlier studies. we have tested VCSELs of the 1550 nm spectral range with an active region based on QWs in an In 0.53 Ga 0.27 Al 0.20 As matrix, which corresponds to the matrix of structures type S1, and found maximum modulation frequencies in excess of 11 GHz [12]. Therefore, the substitution of the In 0.53 Ga…”
Section: Resultsmentioning
confidence: 99%
“…It has been demonstrated earlier that the method of semiconductor wafer fusing allows one to fabricate efficient VCSELs with modulation frequencies > 11 GHz [12] and data transmission rates > 25 Gbit/s [6].…”
Section: Introductionmentioning
confidence: 99%
“…Анализ экспериментальных данных электролюминесценции показал, что увеличение мольной доли алюминия в составе слоев InGaAlAs с 0.16 до 0.20, при сохранении согласованности слоев по постоянной решетки с фосфидом индия, приводит к уменьшению дифференциального усиления в таких лазерных диодах. Ранее нами были апробированы ВИЛ спектрального диапазона 1550 нм с активной областью на основе КЯ в матрице In 0.53 Ga 0.27 Al 0.20 As, соответствующей матрице/волноводным слоям структур типа S1, которые показали максимальную частоту малосигнальной модуляции выше 11 ГГц [12]. Таким образом, замена матрицы активной области в таких ВИЛ с In 0.53 Ga 0.27 Al 0.20 As на In 0.53 Ga 0.31 Al 0.16 As должна привести к дополнительному улучшению частотных характеристик ВИЛ спектрального диапазона 1550 нм.…”
Section: заключениеunclassified
“…Ранее было показано, что использование метода спекания полупроводниковых пластин позволяет получать эффективные ВИЛ с частотами модуляции > 11 ГГц [12] и скоростью передачи данных > 25 Гбит/с [6]. При этом основным преимуществом такого подхода является доказанная надежность таких ВИЛ, проверенная по стандарту GR-468-CORE Telcordia [13].…”
Section: Introductionunclassified
“…Long-wavelength vertical cavity surface-emitting lasers (VCSELs) are promising radiation sources for radiophotonics devices design, utilized in information-telecommunication and computer systems for high-speed data transmission, and are widely used in the quantum random number generators [1][2][3][4][5]. One of the factors explaining the VCSELs popularity in telecommunication devices is the rich variety of polarization phenomena (unstable polarization behavior), suitable for improving the randomness of generated bit sequences and increasing security for highspeed chaos multiplexing [6].…”
Section: Introductionmentioning
confidence: 99%