Influence of dislocations on the process of pore formation in n-InP (111) single crystals

Correlation between Technological Factors of Synthesis of por-GaP and Its Acquired Properties

“…Великі перспективи наноматеріялів вбачаються у їх використанні для створення надчутливих сенсорів [8]. Зокрема, це стосується поруватих напівпровідників [9], поверхня і об'єм яких пронизані по-рами, що можуть слугувати пасткою для йонів газів або променів світла визначеної довжини. Поруваті напівпровідники знайшли широке застосування і як буферні шари для створення на основі напівпровідників нітридів [10].…”

“…Зразки, які відповідають встановленим вимогам якости, та рецептурні й технологічні умови їх синтези. 9 № зразка Тривалість щавлення t, хв. враховує всі визначальні показники поруватої поверхні.…”

Analysis of the ways to provide ecological safety for the products of nanotechnologies throughout their life cycle

“…According to official data of the StatNano website, in 2016, the Office for patents and trademarks of the United States granted 8484 patents in the field of nanoindustry [2]. Nanomaterials are widely used as basic material for photovoltaic converters [3,4], lasers and LEDs [5,6], buffer layers for making heterostructures [7], etc.…”

Provision of environmental safety through the use of porous semiconductors for solar energy sector

“…In addition, the nanostructures based on the semiconductor group A3V5 [10,11] and A2V6 [12] are increasingly considered as the material for solar elements. But still there is no unified mechanism to obtain nanostructured semiconductor layers with the assigned properties.…”