Incorporation of Sn into epitaxial GaAs grown from the liquid phase

Kuphal, E.; Schlachetzki, A.; Pöcker, A.

doi:10.1007/bf00885032

Cited by 23 publications

(2 citation statements)

References 18 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…2-5 were calculated by formulas (6), (10), (13), and (15) according to the quasi-classical model of equilibrium states and electron scattering, developed in this study; dashed curves are μ CW and σ CW calculations by formulas (19) and (17) according to the CW model [33,39]. The points correspond to the experimental data for n-Ge:Sb from [9,10,[40][41][42] (see also [39,43,44]) for n-Si:P [11,12,45] (see also [39,43,46]), for n-GaAs:Sn [47,48], n-GaAs:Te ( ) mob c E [49,50], and n-GaAs [51], as well as for n-InSb:Se [52], n-InSb:Sn [53,54], and n-InSb:Te [55].…”

Section: Comparison Of the Calcuated Results With Experimental Datamentioning

confidence: 99%

Quasi-Classical Model of the Static Electrical Conductivity of Heavily Doped Degenerate Semiconductors at Low Temperatures

Poklonski¹,

Вырко²,

Dzeraviaha³

2018

Semiconductors

View full text Add to dashboard Cite

Germanium, silicon, gallium arsenide, and indium antimonide n-type crystals on the metal side of the insulator-metal transition (Mott transition) are considered. In the quasi-classical approximation, the static (direct current) electrical conductivity and the drift mobility of electrons of the c band, and electrostatic fluctuations of their potential energy and the mobility edge are calculated. It is considered that a single event of the elastic Coulomb scattering of a mobile electron occurs only in a spherical region of the crystal matrix with an impurity ion at the center. The results of calculations using the proposed formulas without using fitting parameters are numerically consistent with experimental data in a wide range of concentrations of hydrogenlike donors at their weak and moderate compensation by acceptors.

show abstract

Section: Comparison Of the Calcuated Results With Experimental Datamentioning

confidence: 99%

Quasi-Classical Model of the Static Electrical Conductivity of Heavily Doped Degenerate Semiconductors at Low Temperatures

Poklonski¹,

Вырко²,

Dzeraviaha³

2018

Semiconductors

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

“…также [39,43,44]), для n-Si : P [11,12,45] (см. также [39,43,46]), для n-GaAs : Sn [47,48], n-GaAs : Te [49,50] и n-GaAs [51], а также для n-InSb : Se [52], n-InSb : Sn [53,54] и n-InSb : Te [55].…”

Section: сравнение результатов расчетов с экспериментальными даннымиunclassified

Квазиклассическая Модель Статической Электропроводности Сильно Легированных Вырожденных Полупроводников При Низких Температурах

Поклонский¹,

Вырко²,

Деревяго³

2018

Физика И Техника Полупроводников

View full text Add to dashboard Cite

Рассматриваются кристаллы германия, кремния, арсенида галлия и антимонида индия n-типа на металлической стороне перехода изолятор-металл (перехода Мотта). В квазиклассическом приближении рассчитываются статическая (на постоянном токе) электрическая проводимость и дрейфовая подвижность электронов c-зоны, а также электростатические флуктуации их потенциальной энергии и порог подвижности. Считается, что единичный акт упругого кулоновского рассеяния подвижного электрона происходит только в сферической области кристаллической матрицы, в центре которой расположен ион примеси. Результаты расчетов по предложенным формулам без использования подгоночных параметров численно согласуются с экспериментальными данными в широком диапазоне концентраций водородоподобных доноров при слабой и умеренной их компенсации акцепторами.

show abstract

Lpe growth of high purity InP and N- and P-In0.53Ga0.47As

Kuphal

Fritzsche

1983

JEM

View full text Add to dashboard Cite

Incorporation of Sn into epitaxial GaAs grown from the liquid phase

Cited by 23 publications

References 18 publications

Quasi-Classical Model of the Static Electrical Conductivity of Heavily Doped Degenerate Semiconductors at Low Temperatures

Quasi-Classical Model of the Static Electrical Conductivity of Heavily Doped Degenerate Semiconductors at Low Temperatures

Квазиклассическая Модель Статической Электропроводности Сильно Легированных Вырожденных Полупроводников При Низких Температурах

Lpe growth of high purity InP and N- and P-In0.53Ga0.47As

Contact Info

Product

Resources

About