Квазиклассическая Модель Статической Электропроводности Сильно Легированных Вырожденных Полупроводников При Низких Температурах

Abstract

Рассматриваются кристаллы германия, кремния, арсенида галлия и антимонида индия n-типа на металлической стороне перехода изолятор-металл (перехода Мотта). В квазиклассическом приближении рассчитываются статическая (на постоянном токе) электрическая проводимость и дрейфовая подвижность электронов c-зоны, а также электростатические флуктуации их потенциальной энергии и порог подвижности. Считается, что единичный акт упругого кулоновского рассеяния подвижного электрона происходит только в сферической области кристаллической матрицы, в центре которой расположен ион примеси. Результаты расчетов по предложенным формулам без использования подгоночных параметров численно согласуются с экспериментальными данными в широком диапазоне концентраций водородоподобных доноров при слабой и умеренной их компенсации акцепторами.

Максимальная Прыжковая Электропроводность На Постоянном Токе По Водородоподобным Примесям В Полупроводниках

“…Уменьшение энергии термической ионизации водородоподобного акцептора за счет ограничения максимального боровского радиуса орбиты дырки на акцепторе дается формулой [21,22]…”

“…Отметим, что формула (10) учитывает минимально возможный угол рассеяния, согласно Конуэлл-Вайскопфу [34], а также конечное время взаимодействия дырки с одним ионом примеси (см. также [35]). При расчете дрейфовой подвижности дырок (и электронов) для температуры T j уменьшением их подвижности изза рассеяния на колебаниях атомов кристаллической матрицы (см., например, [36][37][38]) исследуемых образцов германия и кремния (см.…”

“…Н.А. Поклонский ной зарядовыми состояниями (0) и (+1), и D − -зоны, сформированной зарядовыми состояниями (−1) и (0) доноров (см., например, [59]). Из рис.…”