Impurity states in high magnetic fields

Kaplan, R.

doi:10.1007/3-540-10261-2_40

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“…Ces valeurs de la compensation sont cohérentes avec celles obtenues par E. Litwin-Staszewska et co-auteurs [20] qui ont étudié la variation de la mobilité avec la pression hydrostatique à T = 77 K. Pour les plus faibles densités de porteurs libres, l'énergie d'activation Es tend vers une valeur autour de 0,7 meV. Cette valeur est proche de l'énergie d'ionisation théorique du donneur hydrogénoïde dans n-InSb [21].…”

Section: Expérienceunclassified

Propriétés de transport de l'antimoniure d'indium à densité de porteurs libres contrôlée par un niveau à relaxation de réseau

Kadri¹,

Baj²,

Zitouni³

et al. 1984

Rev. Phys. Appl. (Paris)

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Nous avons étudié les propriétés de transport (conductivité électrique et effet Hall) de l'antimoniure d'indium à faible densité de porteurs libres (1011 cm-3 < n < 1014 cm -3) dans le domaine de température 2 K-95 K. Ces faibles densités de porteurs libres ont été obtenues par piégeage à T > 140 K et sous haute pression hydrostatique ( P ∼ 14 kbars) des électrons de la bande de conduction sur des états localisés fortement couplés au réseau cristallin. A basse température ( T < 77 K), les électrons restent piégés sur ces états même lorsque la pression hydrostatique est enlevée. En utilisant ce « réservoir » d'électrons, il est possible de faire varier la densité de porteurs libres sur une large gamme dans un même échantillon. Lorsque la densité de porteurs libres est fortement réduite et à T < 20 K, les résultats obtenus sur deux échantillons différents permettent d'observer le passage d'une conductivité métallique à une conductivité thermiquement activée. Ce passage est lié à l'apparition d'une énergie d'ionisation finie du niveau donneur hydrogénoïde. A T > 40 K, indépendamment de l'échantillon étudié, un niveau d'impureté profond est actif

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Section: Expérienceunclassified

Propriétés de transport de l'antimoniure d'indium à densité de porteurs libres contrôlée par un niveau à relaxation de réseau

Kadri¹,

Baj²,

Zitouni³

et al. 1984

Rev. Phys. Appl. (Paris)

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Magnetic Freeze‐Out and Magnetic‐Field‐Induced Semiconductor–Semimetal Transition in Bi_1−xSb_x Alloys under High Hydrostatic Pressure

Kraak

Troppenz

Herrmann

et al. 1988

Physica Status Solidi (b)

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The galvanomagnetic properties of extremely pure single‐crystal Bi1−xSbx alloys (x ≈ 0.07 to 0.08) are investigated under hydrostatic pressure with static magnetic fields in the range 0 to 6 T. A striking anomalous behaviour of the longitudinal magnetoresistance (B ∥ C3) is observed in pure crystals (n < 1014 cm−3) which occurs as the magnetic field is increased above a certain critical value. At low magnetic fields and at high magnetic fields the electrical resistivity increases with increasing temperature in a metallic manner in contrast to the thermally activated behaviour observed at intermediate fields. A strong enhancement of the observed anomalies under hydrostatic pressure is found. An analysis of the results shows that the anomalous properties are associated with charge carrier freeze‐out effect in the intermediate field regime and a magnetic‐field‐induced semiconductor–semimetal transition in high magnetic fields. A simple schematic diagram of the band‐edge and impurity–level configuration of Bi1−xSbx alloys is proposed to describe the found experimental data.

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Theoretical investigation of the magnetodonors in a narrow gap semiconductor under high pressure conditions

Chen

Gil

Mathieu

1986

Solid State Communications

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Impurity states in high magnetic fields

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Magnetic Freeze‐Out and Magnetic‐Field‐Induced Semiconductor–Semimetal Transition in Bi_1−xSb_x Alloys under High Hydrostatic Pressure

Theoretical investigation of the magnetodonors in a narrow gap semiconductor under high pressure conditions

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Magnetic Freeze‐Out and Magnetic‐Field‐Induced Semiconductor–Semimetal Transition in Bi1−xSbx Alloys under High Hydrostatic Pressure

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