Growth of epitaxial germanium films on silicon using hot-wire chemical vapor deposition

Abstract

Articles you may be interested inPhysics and chemistry of hot-wire chemical vapor deposition from silane: Measuring and modeling the silicon epitaxy deposition rate

Hot-wire CVD of Ge nanoparticles on Si-etched silicon dioxide

“…Accumulation of Ge adatoms on a SiO 2 surface can be accomplished using hot-wire CVD (HWCVD) in which the precursor gas is catalytically cracked on a hot filament to form GeH x (x¼1, 2, 3). HWCVD with GeH 4 as a precursor has been used to deposit amorphous SiGe:H [20] and Ge:H [21] films on glass and to grow epitaxial Ge films on Si [22]. HWCVD was also used to generate high densities of Si NPs on SiO 2 [23] and the present work demonstrates that Ge NPs on SiO 2 can also be obtained using HWCVD.…”

Туннельные диоды на базе эпитаксиальных структур n-=SUP=-+-=/SUP=--Ge/p-=SUP=-+-=/SUP=--Si(001), выращенных методом горячей проволоки

“…В результате, на поверхность растущего ЭС поступал однородный поток атомов Ge. Более детально методика роста ЭС Ge/Si(001), а также результаты исследований структурных, оптических и электрофизических свойств ЭС Ge, полученных данным методом, приведены в [5,7].…”

“…Эпитаксиальная технология позволяет контролируемо и надежно реализовать структуры с сильнолегированными слоями и атомарно резкими концентрационными переходами [4]. В настоящей работе для выращивания эпитаксиальных слоeв (ЭС) n + -Ge с высокой концентрацией донорной примеси (P) N P ≈ 5 • 10 19 см −3 был применeн низкотемпературный (температура подложки в процессе осаждения Ge T g ≈ 325 • C) метод горячей проволоки [5]. Ранее данным методом были выращены монокристаллические ЭС Ge/Si(001) толщиной ∼ 1 мкм с рекордно низкой плотностью прорастающих дислокаций (∼ 10 5 см −3 ) [6], на базе ЭС p-Ge/n + -Si(001) были получены лабораторные макеты фотодиодов для коммуникативного диапазона длин волн 1.3−1.55 мкм [7].…”

Усиленная фотолюминесценция сильно легированных слоев Ge/Si(001) n-типа проводимости

“…Ранее идея совместного использования деформации растяжения в Ge-слоях и высокого уровня легирования донорной примесью для заполнения Ŵ-долины в зоне проводимости Ge была развита в работах [2,3]. Была продемонстрирована электролюминесценция Ge-светодиодов и получен лазер с оптической накачкой [4], однако его квантовая эффективность оставалась еще довольно низкой, что, возможно, связано с недостаточно высоким уровнем легирования активной области.…”