2008
DOI: 10.1016/j.tsf.2007.10.092
|View full text |Cite
|
Sign up to set email alerts
|

Ferroelectric In3+-added Bi4Ti3O12 films obtained by magnetron sputtering with two series of In3+- and Bi3+-varied targets

Help me understand this report

Search citation statements

Order By: Relevance

Paper Sections

Select...
1

Citation Types

0
0
0
1

Year Published

2014
2014
2019
2019

Publication Types

Select...
6

Relationship

0
6

Authors

Journals

citations
Cited by 7 publications
(1 citation statement)
references
References 22 publications
0
0
0
1
Order By: Relevance
“…Имея параметры решетки в орторомбическом приближении a = 0.5448 nm и b = 0.5410 nm, пленки титаната висмута эпитаксиально осаждаются на такие монокристаллические подложки как SrTiO 3 и LaAlO 3 [2][3][4][5]. Однако коэффициент преломления SrTiO 3 (n = 2.39) сравним по величине с коэффициентом преломления Bi 4 [6], импульсное лазерное осаждение (PLD) [7,8], молекулярно-лучевая эпитаксия (MBE) [9] и высокочастотное распыление [10]. Последний способ является одним из перспективных в силу простоты обеспечения состава исходной керамической мишени в пленке.…”
Section: Introductionunclassified
“…Имея параметры решетки в орторомбическом приближении a = 0.5448 nm и b = 0.5410 nm, пленки титаната висмута эпитаксиально осаждаются на такие монокристаллические подложки как SrTiO 3 и LaAlO 3 [2][3][4][5]. Однако коэффициент преломления SrTiO 3 (n = 2.39) сравним по величине с коэффициентом преломления Bi 4 [6], импульсное лазерное осаждение (PLD) [7,8], молекулярно-лучевая эпитаксия (MBE) [9] и высокочастотное распыление [10]. Последний способ является одним из перспективных в силу простоты обеспечения состава исходной керамической мишени в пленке.…”
Section: Introductionunclassified