Features of photoluminescence and transmission spectra of thin film porous silicon layers on insulator substrates

Abstract

Кафедра Мікроелектроніки ФЕЛ Національний технічний університет України «Київський політехнічний інститут імені Ігоря Сікорського» kpi.ua Київ, Україна Реферат-В роботі проведено дослідження спектрів пропускання і фотолюмінісценції шарів пористого кремнію отриманих хімічним травленням з тонких плівок кремнію на основах з полі кору та сапфіру. Показано що характер спектру поглинання таких структур залежить як від умов отримання плівок кремнію так і від матеріалу основи. В результаті дослідження спектрів фотолюмінісценції що збуджувалась УФ-випромінюванням (285 нм) показано, що окрім характерних для пористого кремнію піків в області 600-700 нм в тонких шарах пористого кремнію спостерігаються піки в короткохвильовій області. Бібл. 13, рис. 8. Ключові словапористий кремній; фотолюмінесценція; хімічне травлення; спектр; тонкі плівки.