Fabrication and vacuum annealing of transparent conductive AZO thin films prepared by DC magnetron sputtering

Preparation and sintering of indium–gallium–zinc oxide ceramics with different zinc oxide contents

“…On the other hand, radio-frequency (RF) power, whose coating rate is lower than that of direct-current (DC) power, is usually used for the sputtering of various oxide films due to the high intrinsic resistivities of oxide targets [6] widely applied to deposit various transparent conductive oxide (TCO) films because of the low resistivities of their targets [20][21][22][23]. Fang et al [22] showed that an AZO target with a resistivity of 0.2 cm can be used to manufacture an AZO film by DC sputtering.…”

“…Fang et al [22] showed that an AZO target with a resistivity of 0.2 cm can be used to manufacture an AZO film by DC sputtering. TNO and TiO 2 films can also be prepared by DC sputtering using TiO 2−x targets with resistivities of about 0.3 cm [23,24].…”

The Influence of Oxygen Pressure on ZnO:Al Thin Films Properties Grown by Layer by Layer Growth Method at Magnetron Sputtering

“…Раніше досліджувався вплив на властивості легованих алюмінієм плівок ZnO: (і) технологічних параметрів магнетронного осадження ( температура підкладки [15], тиски кисню [16] та аргону [17], потужність магнетрону [18], ( іі) технологічних прийомів осадження (подвійне легування [19], вибір катодної системи [20], створення багатошарових плівок [21,22], підготовки поверхні [23] тощо) та (ііі) термічного відпалу щойно вирощених плівок [24,25]. Для покращення властивостей плівок ZnO, осаджених на різні типи підкладок, нами був запропонований в високочастотному (ВЧ) МР метод пошарового (постадійного) росту [26,27].…”

P-15: AZO Etch Buffer Layer based Back-Channel-Etch a-IGZO TFT Technology

“…AZO was selected as the buffer layer due not only to its feasibility in wet-etching, but also other advantages, like high conductivity comparable to ITO, low cost, low toxicity, and high thermal and chemical stability [7]. In addition, the AZO buffer layers can not only completely protect the back channels from plasma bombardment during dry etching of Mo or other metal electrodes, but also extremely reduce the impact of etchants since it can be easily removed without any residues in week rather than strong acidic or alkaline etchants.…”