Epitaxial growth of highly compressively strained GeSn alloys up to 12.5% Sn

Group IV Direct Band Gap Photonics: Methods, Challenges, and Opportunities

“…Nowadays, several groups established growth processes for GeSn utilizing either MBE (Bratland et al, 2003;Chen et al, 2011a;Bhargava et al, 2013;Oehme et al, 2013) Geiger et al…”

Si-Ge-Sn heterostructures: Growth and applications

“…Several groups have succeeded in synthesizing (Si)GeSn alloys applying different growth techniques like APCVD [5], UHVCVD [6,7], or MBE [7]. Our approach is based upon Reduced Pressure CVD [8] with showerhead technology using SnCl 4 , Ge 2 H 6 and Si 2 H 6 precursors appropriate for growth temperatures between 350°C and 475°C.…”

Разрывы валентной зоны в напряженных слоях SiGeSn/Si с различным содержанием олова

“…Кроме того, поскольку α-Sn является полупроводником с инвертиро-ванной зонной структурой, вариация содержания олова в сплавах дает значительно больший диапазон ширин запрещенной зоны, которые могут быть использованы в приборах на основе твердых растворов SiGeSn, по сравнению с приборами на SiGe. На данный момент имеется множество работ экспериментального характе-ра, посвященных формированию тройных соединений SiGeSn [10][11][12][13], измерению оптических свойств этих полупроводников [13][14][15][16][17] и изготовлению отдельных приборных структур с использованием рассматриваемых твердых растворов [18][19][20]. Существуют теоретические работы, посвященные моделированию зонной структуры как напряженных, так и релаксированных [5,6] тройных соединений.…”