Effect of Pressure on Hole Effective Masses in GaAs

Abstract

The effect of pressure on light and heavy hole masses in GaAs is studied. A theoretical calculation of the dependence of the hole masses on pressure is carried out taking into account the influence of the lowest conduction band levels I ? : andThe experimental values are obtained from the change of the tunnel diode characteristics with pressure. The agreement of the calculated values with the experimental data is good for the light holes.Der EinfluB des Druckes auf die effektiven Massen der leichten und schweren Locher in GaAs wird untersucht. Eine theoretische Berechnung der Abhlingigkeit der Uchermasse vom Druck wird unter Beriicksichtigung des Einflusses der tiefsten Leitungsband-Niveaus I?: and l?f6 durchgefiihrt. Experimentelle Werte werden aus den Veriinderungen der Tunneldioden-Kennlinien mit dem Druck erhalten. Cute Obereinstimmung der berechneten mit experimentellen Werten wird fiir die leichten Locher gefunden.

Energy-Band Structure: Electron and Hole Effective Masses

“…However, from a study of the pressure dependence of tunnel diode characteristics Alekseeva et al 109 deduced the m^ and m LH values. They have also calculated dlnm h */dp using the valence-band parameters of the pseudopotential calculation.…”