eingegangen: 21. 02. 97 angenommen: 11. 04. 97Thin SiO, films were deposited on Si at room temperature by plasma-and ozone-enhanced evaporation in an UHV chamber and characterised by ellipsometry, Auger electron spectroscopy and electrical measurements. "hile the opticai and stoichiometric properties correspond well to those of thermally grown SiO,, the electricai properties have to be optimised with regard to lower mobile charge carrier density and lower interface state density.Dünne Si0,-Filme wurden bei Raumtemperatur auf Si mit plasma-und ozon-unterstützter Verdampfung in einer UHV-Kammer abgeschieden und mittels Ellipsometrie, Augerelektronenspektroskopie und elektrischen Messungen charakterisiert. Wahrend die elektrischen und stochiometrischen Eigenschaften gut mit thermisch gewachsenem