Diagnostic Tests for Pre-bond TSV Defects

Abstract

Pre-bond testing and defect identification of through silicon via (TSV) is extremely important for yield assurance of 3D stacked devices. Based on a recently published pre-bond TSV probing technique, this paper proposes an ILP (integer linear programming) model to generate near-optimal set of sessions for pre-bond TSV test. The sessions generated by our model identify defective TSVs in a TSV network with the same capability as that of other available heuristic methods, but with consistently reduced test time. The ILP model is shown to reduce the pre-bond TSV test time by 38.2% for pinpointing up to two faulty TSVs in an 11-TSV network. Reducing prebond TSV test time helps reduce the manufacturing cost of 3D stacked devices. This ILP model has low complexity and an example demonstration using a commercial solver takes less than 40 seconds.

Μοντελοποίηση Θορύβου Και Διασυνδέσεων Διαμέσου Πυριτίου (TSV) Και Μελέτη Μεθόδων Διάγνωσης Βλαβών Σε Τρισδιάστατα Ολοκληρωμένα Κυκλώματα Στις Υψηλές Συχνότητες (RF)

“…Η διαδικασία εξέτασης πραγματοποιείται σε διαφορετικά στάδια της κατασκευαστικής διαδικασίας. Ένα στάδιο είναι η εξέταση πριν την ένωση των επιπέδων (pre-bond), και στοχεύει στα σφάλματα που δημιουργούνται κατά τη διάρκεια της κατασκευής του wafer, όπως ατελή γεμίσματα [78][79]. Η εξέταση μετά την ένωση των επιπέδων (post-bond), που στοχεύει στον εντοπισμό σφαλμάτων που δημιουργούνται κατά τη διάρκεια της διαδικασίας της ένωσης ή εξαιτίας μηχανικών ή θερμικών καταπονήσεων είναι επίσης σημαντικός [80].…”