Charging of dielectrics under ion irradiation

Метод Регистрации Потенциала Зарядки Диэлектриков При Ионном Облучении По Сдвигу Границы Тормозного Рентгеновского Спектра

“…Другим важным фактором, уменьшающим равновесное значение поверхностного потенциала, является захват вторичных электронов, сгенерированных на диафрагмах или окружающих образец деталях камеры и оборудования, положительно заряженной поверхностью. Важность учета и влияние этой проблемы продемонстрированы в работах [12,13]. Так, в публикации [14] изучался процесс зарядки массивного (не пленочного) образца кварца при облучении ионами He + с энергиями от 1 до 4 keV.…”

“…Но такой метод дает лишь оценочные результаты (погрешность 50%). Другим методом измерения кинетики +V S диэлектрика в процессе облучения их пучками ионов является спектрометрический метод [12,13]. Но данный метод тяжело реализуем в современных коммерческих установках ФИП-СЭМ и требует дополнительного оборудования.…”

“…В настоящей работе предложен метод для оценки поверхностного потенциала зарядки при ионном облучении, который легко реализуется в установках ФИП-СЭМ, оборудованных приставкой для рентгеноспектрального микроанализа. Он также позволяет подтвердить правильность выводов, которые были сделаны в работах [12,13]: величина поверхностного потенциала для массивных диэлектриков близка к ускоряющему потенциалу ионного источника, а существенное занижение потенциала поверхности является результатом захвата положительно заряженным образцом вторичных электронов.…”

Method for measuring the dielectrics charging potential under ion irradiation using shifting the bremsstrahlung edge

“…Another important factor that reduces the equilibrium value of the surface potential is the capture of secondary electrons by the positively charged surface, the electrons are generated on diaphragms or parts of the chamber and equipment surrounding the sample. The importance of accounting and the effect of this problem are demonstrated in the papers [12,13]. For example, in the publication [14], the process of charging a massive (not film) quartz sample under irradiation with He + ions with energies of 1 to 4 keV was studied.…”

“…But this method gives only estimated results (error 50%). Another method for measuring the dielectric kinetics +V S during irradiation with ion beams is the spectrometric method [12,13]. However, this method is difficult to implement in modern commercial FIB-SEM installations and requires additional equipment.…”