Atomic layer deposition of high-k dielectrics on III–V semiconductor surfaces

Gougousi, Theodosia

doi:10.1016/j.pcrysgrow.2016.11.001

Cited by 32 publications

(18 citation statements)

References 206 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…are compared, a conventional bi-layer Al2O3/HfO2 [19] and a pure HfO2 dielectric. The HfO2 only gate-stack is preferred for aggressive EOT scaling [20].…”

Section: Device Fabricationmentioning

confidence: 99%

A Self-Aligned Gate-Last Process Applied to All-III–V CMOS on Si

Jönsson

Svensson

Wernersson

2018

IEEE Electron Device Lett.

View full text Add to dashboard Cite

“…are compared, a conventional bi-layer Al2O3/HfO2 [19] and a pure HfO2 dielectric. The HfO2 only gate-stack is preferred for aggressive EOT scaling [20].…”

Section: Device Fabricationmentioning

confidence: 99%

A Self-Aligned Gate-Last Process Applied to All-III–V CMOS on Si

Jönsson

Svensson

Wernersson

2018

IEEE Electron Device Lett.

View full text Add to dashboard Cite

“…Для нанесения диэлектрических слоев на поверхности полупроводников, как правило, используется метод атомно-слоевого осаждения [322], предложенный независимо в СССР как " молекулярное наслаивание" [323,324] и в Финляндии как " атомно-слоевая эпитаксия" [325,326]. Данный метод осаждения тонких пленок базируется на химических реакциях между газовой фазой и твердым телом и имеет свойство самоограничения.…”

Section: модификация интерфейсов полупроводник/диэлектрикunclassified

“…При этом каждый из реагентов подготавливает поверхность к реакции с другим реагентом. В большинстве реакций атомно-слоевого осаждения используются [321,322]. Следует отметить, что некоторые прекурсоры (например, Al(CH 3 ) 3 ) сами могут удалять оксиды с поверхностей полупроводников A III В V в процессе атомно-слоевого осаждения [327,328].…”

Section: модификация интерфейсов полупроводник/диэлектрикunclassified

“…Следует отметить, что некоторые прекурсоры (например, Al(CH 3 ) 3 ) сами могут удалять оксиды с поверхностей полупроводников A III В V в процессе атомно-слоевого осаждения [327,328]. Тем не менее очень часто используется химическая обработка и пассивация поверхности растворами электролитов [322] (рис. 20).…”

Section: модификация интерфейсов полупроводник/диэлектрикunclassified

“…20). При этом в случае полупроводников на основе галлия (GaAs, GaSb) широко используется обработка поверхности водным раствором аммиака (NH 4 OH), поскольку такая обработка не только удаляет слой окисла с поверхности, но и оставляет на поверхности адсорбированные гидрооксилгруппы [41], подготавливая ее для последующего процесса атомно-слоевого осаждения [322].…”

Section: модификация интерфейсов полупроводник/диэлектрикunclassified

See 2 more Smart Citations

Модификация Атомной И Электронной Структуры Поверхности Полупроводников А-=sup=-Iii-=/Sup=-В-=sup=-v-=/Sup=- На Границе С Растворами Электролитов О Б З Ор

Лебедев¹

2020

Физика И Техника Полупроводников

View full text Add to dashboard Cite

Recent experimental and theoretical results on modification of the surface atomic and electronic structure of various III–V semiconductor with electrolyte solutions are reviewed. The relationship between the chemical and charge transfer processes that proceed at the semiconductor/electrolyte interfaces and accompanying modification of the semiconductor surface atomic and electronic structure is revealed. Advances in the application of electrolyte solutions for modification of the semiconductor nanostructures and device performance are discussed.

show abstract

Electronic Structures of Group III–V Element Haeckelite Compounds: A Novel Family of Semiconductors, Dirac Semimetals, and Topological Insulators

Khazaei

Ranjbar

Kang

et al. 2022

Adv Funct Materials

View full text Add to dashboard Cite

Sb) have been intensively investigated for several decades because of their enormous applications for many optoelectronic devices. Here, by employing first-principles calculations, the electronic structures of bulk XY haeckelite compounds are examined. It is identified that InSb (TlN and TlP) is Dirac semimetal (are strong topological insulators). The other fifteen XY compounds are semiconducting. The effect of biaxial and uniaxial tensile and compressive strains on the electronic structures are studied. These materials offer diverse topological orders. The semiconducting band gaps are mainly found between the bonding and antibonding states of the mixed X(p)-Y(p) orbitals at the top of the valence band and the bottom of the conduction bands, respectively. The topological insulating nature of the XY compounds is explained based on the degenerate p x + p y orbitals and their orbital energies relative to the p z orbitals near the Fermi energy. The nontrivial band topologies of TlN and TlP are confirmed by calculating the Z 2 (1;000) index, surface states, and Wilson loop calculations. The bands split into two branches by including spin-orbit interaction. The results demonstrate that haeckelite compounds are fascinating materials with broad potential applications in optoelectronics and possessing the possibility of hosting emergent physical phenomena.

show abstract

Atomic layer deposition of high-k dielectrics on III–V semiconductor surfaces

Cited by 32 publications

References 206 publications

A Self-Aligned Gate-Last Process Applied to All-III–V CMOS on Si

A Self-Aligned Gate-Last Process Applied to All-III–V CMOS on Si

Модификация Атомной И Электронной Структуры Поверхности Полупроводников А-=sup=-Iii-=/Sup=-В-=sup=-v-=/Sup=- На Границе С Растворами Электролитов О Б З Ор

Electronic Structures of Group III–V Element Haeckelite Compounds: A Novel Family of Semiconductors, Dirac Semimetals, and Topological Insulators

Contact Info

Product

Resources

About