In silicon MOS semiconductor devices precipitations were observed by TEM in the borondiffused regions. They were identified by using selected area diffraction, high resolution lattice plane imaging, Auger spectroscopy and microanalysis of X-rays. The results lead to the conclusion that these particles consist of polycrystalline silicon and that oxygen and nitrogen, probably carbon too are concentrated inside the particles. The formation of these precipitations is only due to the technological process of the device manufactoring and does not depend on the silicon starting material.In Silizium MOS-Halbleiteranordnungen wurden mittels TEM Ausscheidungen in den Bor-diffundierten Gebieten beobachtet. Deren Identifizierung erfolgte durch Feinbereichsbeugung, hochauflosende Netzebenenabbildung, Augerspektroskopie und Mikroanalyse von Rontgenstrahlen. Die Ergebnisse fiihrten zu dem SchluB, daB die Teilchen aus polykristallinem Silizium bestehen und daB Sauerstoff und Stickstoff, wahrscheinlich auch Kohlenstoff, in den Teilchen angereichert sind. Die Bildung dieser Teilchen ist nur durch den technologisohen ProzeB der Bauelementeherstellung bedingt und hLingt nicht vom Silizium-Ausgangsmaterial ab.