A single-spatial-mode semiconductor laser based on InAs/InGaAs quantum dots with a diffraction filter of optical modes

Gordeev, N. Yu.; Novikov, I. I.; Kuznetsov, A. M.; Shernyakov, Yu. M.; Maximov, M. V.; Zhukov, A. E.; Chunareva, A. V.; Payusov, A. S.; Livshits, D.A.; Kovsh, A. R.

doi:10.1134/s1063782610100192

Cited by 7 publications

(1 citation statement)

References 9 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…Другим изменением оптических свойств волновода, наблюдаемым уже при минимальной глубине травления, является сужение спектров. Мы полагаем, что в этом случае протравленная секция работает аналогично пассивному модовому фильтру [10].…”

unclassified

Модификация Гребневых Волноводов Полупроводниковых Лазеров Фокусированным Ионным Пучком

Паюсов¹,

Митрофанов²,

Корнышов³

et al. 2021

Письма В Журнал Технической Физики

View full text Add to dashboard Cite

We studied the influence of the focused ion beam milling of ridge waveguides on lasing parameters of edge-emitting lasers, based on a separate confinement double heterostructure. It is shown that there are three degrees of influence, according to the etching depth: modification of the waveguide properties only, a decrease in efficiency without changing the threshold current, and a simultaneous deterioration in the threshold current and efficiency with significant modification of the optical characteristics of the laser.

show abstract

unclassified