A precision monolithic time delay generator for use in automotive electronic fuel injection systems

Davis, William F.; Frederiksen, T.M.

doi:10.1109/jssc.1972.1050319

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“…Para a determinação da mobilidade dos portadores para baixo campo (μ 0 ) de um transistor MOSFET, obtém-se a transcondutância (g m ) através da equação (20). 1,0x10 A determinação da mobilidade de saturação (μ sat ) 39 40,41,42,43 .…”

Section: Mobilidade Efetiva No Canal Do Transistorunclassified

“…Na região linear, a corrente de dreno (I DS ) de um SOI MOSFET, em regime de inversão forte, pode ser calculada usando-se a equação (41) 53 na temperatura T1: (41) onde C oxf = ε ox /t ox , t ox é a espessura do óxido de porta, ε ox é a permissividade do dióxido de silício (SiO 2 ), W e L são a largura e comprimento do canal do transistor, respectivamente, V GF e V DS são as tensões aplicadas aos terminais de porta e dreno, respectivamente em relação ao terminal de fonte.…”

Section: Região Linearunclassified

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Estudo do ponto invariante com a temperatura ("Zero Temperature Coefficient") em transistores SOI Mosfet fabricados com tecnologia ultra-submicrométrica.

Camillo¹

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Este exemplar foi revisado e alterado em relação à versão original, sob responsabilidade única do autor e com a anuência de seu orientador. São Paulo, de março de 2011. Assinatura do autor ____________________________ Assinatura do orientador _______________________ FICHA CATALOGRÁFICA Camillo, Luciano Mendes Estudo do ponto invariante com a temperatura (""Zero Temperature Coefficient"") em transistores SOIU Mosfet fabricados com tecnologia ultra-submicrométrica / L.M. Camillo. --ed.rev. --São Paulo, 2011. 142 p.Tese (Doutorado) -DEDICATÓRIA Dedico este trabalho a minha esposa Clara, que sempre me apoiou em todos os momentos bons e ruins, me incentivando e dando suporte para a realização deste trabalho. Aos meus pais Isaias e Regina, que me propiciaram ensinamentos e me mostraram os valores da vida honestidade, integridade e caráter Amo vocês! AGRADECIMENTOS Ao orientador Prof. Dr. João Antonio Martino, pelo apoio, confiança, amizade, atenção, paciência, e pela oportunidade da realização deste trabalho. A minha esposa Clara, meus pais e a meu irmão Adriano pelo apoio, carinho, incentivo e compreensão nos momentos difíceis e de ausência, vocês são tudo na minha vida. A amiga, Carolina D. G. dos Santos pela ajuda, incentivo, confiança, companheirismo. Aos amigos Milene Galeti, Michele Rodrigues e Vinícius Heltai pelo incentivo, discussões, e apoio durante esta jornada. Ao professores e amigos Dr. Salvador P. Gimenes, Dr. Aparecido S. Nicolett e Dr. Marcelo A. Pavanello pelo incentivo desse e outros trabalhos. Aos colegas grupo SOI-CMOS pelo incentivo, discussões, e apoio durante este trabalho. Ao Laboratório de Sistemas Integráveis da EPUSP pela infra-estrutura oferecida e que permitiu a realização deste trabalho. À meus familiares que me apoiaram e torceram por mim. Aos colegas do LSI pelo apoio e discussões, e a todos que direta ou indiretamente colaboraram na execução desse trabalho e que involuntariamente foram aqui omitidos. RESUMO Neste trabalho é apresentado um estudo do ponto ZTC ("Zero Temperature Coefficient") em dispositivos SOI MOSFETs, funcionando em modo parcialmente (PD-SOI) e totalmente (FD-SOI) depletados. O estudo é realizado a partir de um modelo analítico simples, proposto para determinação da tensão de polarização da porta do transistor no ponto ZTC (V ZTC ), através dos modelos de primeira ordem das características da corrente de dreno (I DS ) em função da tensão aplicada a porta (V GF ) do transistor, considerando as regiões de operação linear e de saturação. Para a validação do modelo, os resultados obtidos são confrontados com dados experimentais, e foi obtido um bom ajuste dos valores, apesar das simplificações adotadas para o modelo proposto. Foi realizada uma análise para estudar o impacto no valor de V ZTC com a variação no valor de parâmetros de referência, como a concentração de portadores (N af ) e a espessura do óxido de porta (t oxf ). O erro máximo observado em V ZTC , impondo a variação nos parâmetros N af e t oxf , para os dispositivos PD é de 3,1% e 4,6% na região linear, respe...

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Section: Mobilidade Efetiva No Canal Do Transistorunclassified

Section: Região Linearunclassified

Estudo do ponto invariante com a temperatura ("Zero Temperature Coefficient") em transistores SOI Mosfet fabricados com tecnologia ultra-submicrométrica.

Camillo¹

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Potential and problems of high-temperature electronics and CMOS integrated circuits (25–250°C) - an overview

Shoucair

1991

Microelectronics Journal

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Scaling, subthreshold, and leakage current matching characteristics in high-temperature (25 degrees C-250 degrees C) VLSI CMOS devices

Shoucair

1989

IEEE Trans. Comp., Hybrids, Manufact. Technol.

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A precision monolithic time delay generator for use in automotive electronic fuel injection systems

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Estudo do ponto invariante com a temperatura ("Zero Temperature Coefficient") em transistores SOI Mosfet fabricados com tecnologia ultra-submicrométrica.

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