A model for the large-amplitude hysteresis in MIS structures on InSb

2014 Les propriétés de la dérive post-irradiation dans les transistors MOS utilisés comme dosimètres sont étudiées. Il est montré que cette dérive, probablement due à une injection tunnel des électrons du canal, est une fonction fortement décroissante de l'épaisseur de la grille. Une évaluation des erreurs commises lors de la mesure de faibles débits de dose permet de définir les limites d'utilisation de ce type de dosimètre.Abstract. 2014 The properties of the post-irradiation annealing in MOS transistors used as dosimeter are studied. It is shown that the observed shift, probably caused by tunnel injection of electrons from the transistor channel, is a decreasing function of the insulator thickness. The limits of such a dosimeter when a very low dose rate is measured are evaluated.

show abstract

“…relaxation thermique des porteurs piégés dans l'oxyde ne peut être retenu dans le cadre des expériences effectuées ici [15]. Enfin [16].…”

Section: Etude Expérimentale Des Dérivesunclassified

Dérive temporelle post-irradiation dans les dosimètres MOS de rayonnement

Sarrabayrouse

Bellaouar

Rossel

1986

Rev. Phys. Appl. (Paris)

Self Cite

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

“…Various dielectrics and deposition methods, completed with adequate annealing procedures, have been investigat- The best transition, close to 100 Hz, between high and low frequency C( ) curves has been achieved with SiO, but interface state densities around Article published online by EDP Sciences and available at http://dx.doi.org/10.1051/rphysap:019780013012063700 1012 cm2 . eV-1 were measured, and a significant carrier trapping phenomenon due to high trap densities located in the insulator layers close to the interface, was observed on these structures [12]. Improvement of the surface characteristics and of the electrical breakdown of the insulator was obtained with CVD SiON.…”

Section: Processing Techniques -Single Crystals N Typementioning

confidence: 92%

Indium antimonide infrared imaging C.I.D. linear and matrix arrays

Chatard¹,

Lussereau²,

Salaville³

et al. 1978

Rev. Phys. Appl. (Paris)

Self Cite

View full text Add to dashboard Cite

2014 L'intérêt est grand actuellement pour la réalisation de matrices plan focal sensibles à l'infrarouge thermique du type CCD, CID. Nous montrons dans cet article qu'il est possible de réaliser, malgré les difficultés inhérentes aux matériaux et aux techniques nouvelles, des matrices monolithiques sur InSb présentant des caractéristiques intéressantes et prometteuses. Des valeurs de détectivités de 3 x 1011 cm H1/2 W-1 pour une barrette linéaire de 32 éléments et de 5 1010 cm H1/2 W-1 pour une matrice de 8 x 8 éléments ont pu être mesurées qui sont très proches de celles obtenues sur les meilleurs détecteurs photovoltaiques. Les valeurs de rendement et de temps de transfert, obtenues par une modélisation et une analyse théorique, permettent d'établir la faisabilité de matrices comptant un millier d'éléments et lues par un seul préamplificateur. Abstract. 2014 It is of great importance to day to obtain thermal IR sensitive CCD or CID matrix arrays. This paper shows that it is possible, in spite of difficulties which appear with the new technics and material used, that monolithic InSb Arrays with good performances can be fabricated. Detectivities of about 3 x 1011 cm H1/2 W-1 for a 32 elements linear array and 5 x 1010 cm H1/2 W-1 for an 8 x 8 element matrix have been measured, which are very close to detectivities of best photovoltaic detectors. Efficiency and transfer time values are obtained via theoretical analysis and modelling which show the feasibility of a 1 000 elements matrix array read by a single preamplifier.

show abstract