Проведены исследования электропроводности и фотопроводимости кристаллов ZnSe, легированных ионами переходных элементов. Показано, что легирование кристаллов селенида цинка примесями 3d-элементов не приводит к образованию электрически активных уровней этих примесей. Вместе с тем внедрение исследуемых примесей в катионную подрешетку приводит к образованию электрически активных собственных дефектов. Установлено, что кристаллы ZnSe, легированные Ti, V, Cr, Fe, Co, Ni, обладают высокотемпературной примесной фотопроводимостью. Предложены механизмы фотопроводимости в исследуемых кристаллах. По положению первой ионизационной полосы фотопроводимости определены энергии основных состояний 3d2+-ионов в кристаллах селенида цинка. DOI: 10.21883/FTP.2017.06.44557.8448